-
公开(公告)号：CN107452742B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201710265559.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社和广武
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm
-
公开(公告)号：CN109643720A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780041826.4
申请日：2017-07-03
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社华哥姆研究所
IPC: H01L27/1159 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L27/11587
Abstract: 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同而一定、或在底面(12)以外的比底面(12)靠上的位置最宽。
-
公开(公告)号：CN107452742A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710265559.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社华哥姆研究所
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
CPC classification number: H01L29/40111 , G11C11/223 , H01L21/02181 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L27/1159 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/516 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6684 , H01L29/78391 , H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm
-
公开(公告)号：CN109643720B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201780041826.4
申请日：2017-07-03
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社华哥姆研究所
IPC: H10B51/10 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H10B51/30
Abstract: 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.037 seconds)
