公开(公告)号：CN103858183A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280045798.0

申请日：2012-09-21

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  东丽株式会社

Inventor： 今津直树 ,  渡边修 ,  中嶋直敏 ,  藤谷刚彦

IPC: H01B13/00 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01B13/30 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/3441 ,  C03C2217/42 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/5203 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种透明导电体的制造方法，所述方法通过在透明基材上涂布包含碳纳米管的分散液并使其干燥而形成导电层，从而在透明基材的至少一面形成导电性的层合构造，所述方法的特征在于实施下述工序：在形成导电层之前，在透明基材上形成以0.2～20质量%的比例包含空穴掺杂化合物的内涂层的工序，或在形成导电层之后，形成以0.2～20质量%的比例包含空穴掺杂化合物的外涂层的工序。本发明还提供一种透明导电体，其特征在于，在透明基材的至少一面依次具有以0.2～20质量%的比例包含空穴掺杂化合物的内涂层、和包含碳纳米管的导电层，或者在透明基材的至少一面依次具有包含碳纳米管的导电层、和以0.2～20质量%的比例包含空穴掺杂化合物的外涂层。本发明提供形成透明导电性优异、简便且具有生产率的碳纳米管透明导电体的方法。

公开(公告)号：CN102089572A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980127476.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 河田融司 ,  佐藤义和 ,  渡边修 ,  坂口善彦

IPC: F21S2/00 ,  F21Y103/00

CPC classification number: G02F1/133606 ,  G02F1/133604

Abstract: 本发明提供一种直下型背光源装置，所述直下型背光源装置为高亮度显示装置用的直下型背光源装置，即使不使用实施了特殊加工的光学构件，也可以有效地抑制管亮度不均匀。本发明的直下型背光源装置，按照反射材料、多个线状光源、及光学构件组这样的顺序进行配置，且满足下述条件(i)～(v)。(i)上述多个线状光源以各线状光源的长度方向相互平行的方式进行配置；(ii)上述光学构件组中的最靠近上述线状光源的光学构件的基于JIS K7136(2000年)的雾度值为99.0％以下，所述雾度值是使光从线状光源侧的面入射进行测定得到的；(iii)上述光学构件组中存在棱镜片，所述棱镜片在与上述线状光源侧为相对侧的面上形成有沿着单向延伸的多个凸型形状，多个凸型形状的长度方向平行，多个凸型形状的长度方向与多个线状光源的长度方向平行；(iv)上述反射材料的上述线状光源侧的面基于JIS K 7105(1981年)测定的60°光泽度为5以下；(v)将上述多个线状光源中相邻的线状光源中心间的距离设为L，将从线状光源的中心至最靠近上述线状光源的光学构件的距离设为H时，满足下述式(1)的θ为45°≤θ≤70°。θ＝tan-1((L/2)/H)...式(1)。

公开(公告)号：CN101542325B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200880000210.3

申请日：2008-04-23

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 佐藤义和 ,  坂口善彦 ,  渡边修

IPC: G02B5/08 ,  B32B7/02 ,  C08J7/04 ,  F21S2/00 ,  F21V7/00 ,  F21V7/22 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357

CPC classification number: C08J7/047 ,  C08J2367/02 ,  C08J2433/06 ,  G02B6/0055 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133611

Abstract: 本发明为了谋求提高液晶背光源的亮度，而提供一种白色反射膜，在该白色膜的至少一个面上具有含有球状粒子的涂层，形成该涂层的该粒子与粘合剂树脂的折射率之差的绝对值为0.10以下，且该球状粒子是无孔质的。

公开(公告)号：CN101375185A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003443.4

申请日：2007-01-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 坂口善彦 ,  渡边修

IPC: G02B5/08 ,  B32B27/18 ,  F21S2/00 ,  F21V7/22 ,  F21V8/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133605 ,  B32B7/02 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/402 ,  B32B2307/406 ,  B32B2307/416 ,  B32B2457/202 ,  G02B5/08 ,  G02B6/0055

Abstract: 本发明涉及由白色膜构成的，一面与另一面的光泽度(60°)之差ΔG大于80％的面光源反射部件用膜。根据本发明，提供了容易将设置了具有功能的层的面与其相反侧的面识别开，在液晶的背光源制造工序中可提高生产率的面光源反射部件用膜。

公开(公告)号：CN104412334A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380031034.0

申请日：2013-03-21

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 西冈和也 ,  佐藤义和 ,  渡边修

IPC: H01B5/14 ,  B32B15/02 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

CPC classification number: G06F3/041 ,  B32B2307/202 ,  B32B2457/202 ,  B32B2457/206 ,  B32B2457/208

Abstract: 本发明提供图案的非视认性良好的图案化导电层合体。所述导电层合体是在基材的至少一面具有导电层的导电层合体，其特征在于，该导电层含有具备网状结构的金属系线状结构体，并且该导电层合体的任一层中含有无机粒子。

公开(公告)号：CN102630327B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080053205.6

申请日：2010-12-16

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 佐藤义和 ,  渡边修 ,  关口广树 ,  真多淳二

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/045 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  B32B27/18

CPC classification number: G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B2457/208 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/24744 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种导电层合体，其对在将导电层合体加工形成用于触控面板等的电极构件时的化学蚀刻中所使用的除去剂具有耐受性，对热具有良好的耐久性。所述导电层合体的特征在于，在基材的至少一面从基材侧层合有导电层和保护层，所述导电层包含具有由线状结构体构成的网状结构的导电成分，保护层的平均厚度t为100～1000nm。

公开(公告)号：CN103703519A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280035646.2

申请日：2012-07-27

Applicant: 东丽株式会社 ,  东丽薄膜先端加工股份有限公司

Inventor： 佐藤义和 ,  渡边修 ,  上冈武则

IPC: H01B5/14 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  G06F3/041 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B1/22 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  B32B2307/202 ,  B32B2457/12 ,  B32B2457/20 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供由导电区域（A）和非导电区域（B）形成的图案的非识别性高的图案化导电层合体。所述图案化导电层合体在基材的至少一侧具有图案化导电层，所述图案化导电层在面内具有在基质中含有具有网状结构的金属类线状结构体的导电区域（A）和基质中含有孤立分散的金属类分散体的非导电区域（B），所述图案化导电层合体满足下述（I）和（II）。（I）所述基质由含有下述结构的高分子形成，所述结构是具有2个以上利于聚合反应的碳-碳双键基团的化合物发生聚合反应得到的，并且来自碳-碳双键基团的结构的碳-碳双键基团的单元结构（＞C＝C＜：式量24）部分相对于所述基质的总质量的质量含有率为9～26质量％，利用FT-IR-ATR法求出的碳-碳双键的伸缩振动的峰强度ν1与碳-氢单键（C-H）的伸缩振动的峰强度ν2的关系为ν1/ν2≥0.2。（II）所述非导电区域（B）中利用荧光X射线定量的金属成分的量是在所述导电区域（A）中利用荧光X射线定量的金属成分的量的0.5～0.9倍。

公开(公告)号：CN103476579A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280015972.7

申请日：2012-03-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 上林浩行 ,  冢村裕介 ,  渡边修

IPC: B32B9/00

CPC classification number: H01L23/296 ,  C09D1/00 ,  H01L23/564 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/048 ,  H01L33/54 ,  H01L51/5253 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高阻气性，且阻气性的重复再现性优异的阻气性膜。该阻气性膜是在高分子基材的至少一个面上依次层合了以下的[A]层和[B]层而形成的，[A]层：铅笔硬度为H以上且表面自由能为45mN/m以下的交联树脂层，[B]层：厚度为10～1000nm的含硅无机层。

公开(公告)号：CN101375185B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200780003443.4

申请日：2007-01-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 坂口善彦 ,  渡边修

IPC: G02B5/08 ,  B32B27/18 ,  F21S2/00 ,  F21V7/22 ,  F21V8/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133605 ,  B32B7/02 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/402 ,  B32B2307/406 ,  B32B2307/416 ,  B32B2457/202 ,  G02B5/08 ,  G02B6/0055

Abstract: 本发明涉及由白色膜构成的，一面与另一面的光泽度(60°)之差ΔG大于80％的面光源反射部件用膜。根据本发明，提供了容易将设置了具有功能的层的面与其相反侧的面识别开，在液晶的背光源制造工序中可提高生产率的面光源反射部件用膜。

公开(公告)号：CN101952906A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980106224.8

申请日：2009-03-24

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 池内修子 ,  西野秀和 ,  吉川正人 ,  佐藤谦一 ,  渡边修

IPC: H01B13/00 ,  B32B7/02 ,  C01B31/02 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01B1/02 ,  C08J7/045 ,  H01B1/12 ,  H01B1/20 ,  H01B1/24

Abstract: 本发明提供一种导电性复合体的制造方法，所述制造方法包括以下工序：第一工序，将含有分散剂(A)及导电材料的组合物(B)涂布到基材上，所述分散剂(A)在分子内具有羟基；第二工序，在第一工序之后在涂布有该组合物(B)的面上涂布含有能够形成金属醇盐的化合物(C)及/或化合物(C)的水解物的液体。本发明还提供一种具有高导电性和耐久性、且即使在长期高温高湿下也显示稳定的特性的耐湿热性优异的导电性复合体。