直下型背光源装置

    公开(公告)号:CN102089572A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200980127476.9

    申请日:2009-09-03

    CPC classification number: G02F1/133606 G02F1/133604

    Abstract: 本发明提供一种直下型背光源装置,所述直下型背光源装置为高亮度显示装置用的直下型背光源装置,即使不使用实施了特殊加工的光学构件,也可以有效地抑制管亮度不均匀。本发明的直下型背光源装置,按照反射材料、多个线状光源、及光学构件组这样的顺序进行配置,且满足下述条件(i)~(v)。(i)上述多个线状光源以各线状光源的长度方向相互平行的方式进行配置;(ii)上述光学构件组中的最靠近上述线状光源的光学构件的基于JIS K7136(2000年)的雾度值为99.0%以下,所述雾度值是使光从线状光源侧的面入射进行测定得到的;(iii)上述光学构件组中存在棱镜片,所述棱镜片在与上述线状光源侧为相对侧的面上形成有沿着单向延伸的多个凸型形状,多个凸型形状的长度方向平行,多个凸型形状的长度方向与多个线状光源的长度方向平行;(iv)上述反射材料的上述线状光源侧的面基于JIS K 7105(1981年)测定的60°光泽度为5以下;(v)将上述多个线状光源中相邻的线状光源中心间的距离设为L,将从线状光源的中心至最靠近上述线状光源的光学构件的距离设为H时,满足下述式(1)的θ为45°≤θ≤70°。θ=tan-1((L/2)/H)...式(1)。

    导电层合体、图案化导电层合体及使用该层合体得到的触控面板

    公开(公告)号:CN103703519A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201280035646.2

    申请日:2012-07-27

    Abstract: 本发明提供由导电区域(A)和非导电区域(B)形成的图案的非识别性高的图案化导电层合体。所述图案化导电层合体在基材的至少一侧具有图案化导电层,所述图案化导电层在面内具有在基质中含有具有网状结构的金属类线状结构体的导电区域(A)和基质中含有孤立分散的金属类分散体的非导电区域(B),所述图案化导电层合体满足下述(I)和(II)。(I)所述基质由含有下述结构的高分子形成,所述结构是具有2个以上利于聚合反应的碳-碳双键基团的化合物发生聚合反应得到的,并且来自碳-碳双键基团的结构的碳-碳双键基团的单元结构(>C=C<:式量24)部分相对于所述基质的总质量的质量含有率为9~26质量%,利用FT-IR-ATR法求出的碳-碳双键的伸缩振动的峰强度ν1与碳-氢单键(C-H)的伸缩振动的峰强度ν2的关系为ν1/ν2≥0.2。(II)所述非导电区域(B)中利用荧光X射线定量的金属成分的量是在所述导电区域(A)中利用荧光X射线定量的金属成分的量的0.5~0.9倍。

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