公开(公告)号：CN1328700A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99813121.0

申请日：1999-09-23

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·施勒泽尔 ,  W·克劳特施奈德 ,  F·霍夫曼 ,  T·P·哈尼德

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507

Abstract: 存储单元装置的存储单元各自具有一只选择晶体管(AT)、一只存储晶体管(ST)和一只铁电电容器。选择晶体管(AT)和存储晶体管串联。铁电电容器连接在存储晶体管(ST)的控制极(GS)和选择晶体管(AT)的第一连接端(AA1)之间。

公开(公告)号：CN1140927C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN99811700.5

申请日：1999-07-05

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： J·维勒尔 ,  F·霍夫曼 ,  T·施勒赛尔 ,  W·克劳特施奈德尔

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明涉及由至少一只选择晶体管和包含高6或铁电介质(11)的一只存储电容器构成的存储单元的制法，其中，在半导体本体(1)内或上选择晶体管安排在第1平面内，而存储电容器安排在第2平面内，其中第1平面通过由硅制成的第1插塞(6)与第2平面电学连接，由硅制成的第2插塞(13)连接其上，该第2插塞与存储电容器的存储节电极电学连接。这时第1插塞(6)直接与第2插塞(13)连接。在该方法中，在对高ε或铁电介质(11)高温工艺处理期间第1插塞(6)被用作占位的、随后被用作第2插塞(13)的硅取代的氮化硅层(10)保护。

公开(公告)号：CN1323447A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN99811700.5

申请日：1999-07-05

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： J·维勒尔 ,  F·霍夫曼 ,  T·施勒赛尔 ,  W·克劳特施奈德尔

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明涉及由至少一只选择晶体管和包含高ε或铁电介质(11)的一只存储电容器构成的存储单元的制法,其中,在半导体本体(1)内或上选择晶体管安排在第1平面内,而存储电容器安排在第2平面内,其中第1平面通过由硅制成的第1插塞(6)与第2平面电学连接,由硅制成的第2插塞(13)连接其上,该第2插塞与存储电容器的存储节电极电学连接。这时第1插塞(6)直接与第2插塞(13)连接。在该方法中,在对高ε或铁电介质(11)高温工艺处理期间第1插塞(6)被用作占位的、随后被用作第2插塞(13)的硅取代的氮化硅层(10)保护。

公开(公告)号：CN1149680C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN99813121.0

申请日：1999-09-23

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·施勒泽尔 ,  W·克劳特施奈德 ,  F·霍夫曼 ,  T·-P·哈尼德

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507

Abstract: 存储单元装置的存储单元各自具有一只选择晶体管(AT)、一只存储晶体管(ST)和一只铁电电容器。选择晶体管(AT)和存储晶体管串联。铁电电容器连接在存储晶体管(ST)的控制极(GS)和选择晶体管(AT)的第一连接端(AA1)之间。