公开(公告)号：CN1153294C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN00104364.1

申请日：2000-03-20

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： Y·J·帕克 ,  C·J·拉登斯 ,  G·昆克尔

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/10829 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  Y10S257/906 ,  Y10S257/907 ,  Y10S257/908

Abstract: 根据本发明的存储器单元包括在衬底中形成的沟槽，以及在衬底中栅极下面形成并延伸到沟槽的有源区域。有源区域包括用于形成晶体管以访问沟槽内存储节点的扩散区域，晶体管由栅极激活。栅极定义了第一轴，其中部分有源区域由那里横向延伸，所述部分有源区域延伸到沟槽。沟槽具有最接近所述部分有源区域的侧面，沟槽的侧面相对于栅极有角度地设置，由此栅极和沟槽侧面之间的距离大于最小特征尺寸。

公开(公告)号：CN1267914A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00104364.1

申请日：2000-03-20

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： Y·-J·帕克 ,  C·J·拉登斯 ,  G·昆克尔

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/10829 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  Y10S257/906 ,  Y10S257/907 ,  Y10S257/908

Abstract: 根据本发明的存储器单元包括在衬底中形成的沟槽,以及在衬底中栅极下面形成并延伸到沟槽的有源区域。有源区域包括用于形成晶体管以访问沟槽内存储节点的扩散区域,晶体管由栅极激活。栅极定义了第一轴,其中部分有源区域由那里横向延伸,所述部分有源区域延伸到沟槽。沟槽具有最接近所述部分有源区域的侧面,沟槽的侧面相对于栅极有角度地设置,由此栅极和沟槽侧面之间的距离大于最小特征尺寸。

公开(公告)号：CN1165983C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00104816.3

申请日：2000-03-27

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： J·联 ,  G·昆克尔

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/768 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种由MOSFET及叠层电容器构成的DRAM存储单元结构和一种形成该结构的方法便于进行在该晶体管的源/漏区与该电容器的下电极之间的低阻接触。该方法在其优选实施例中使用铂作为该电容器的底部电极而不需要在铂与用于接触该MOSFET的掺杂多晶硅栓之间的扩散阻挡层。为了达到该目的，该接点的形成是在淀积诸如钡锶钛酸盐的用于形成该电容器的介质的高介电常数的材料之后。该电容器的底部电极相对于该多晶硅栓部分地偏移。

公开(公告)号：CN1272687A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00104816.3

申请日：2000-03-27

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： J·联 ,  G·昆克尔

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/768 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种由MOSFET及叠层电容器构成的DRAM存储单元结构和一种形成该结构的方法便于进行在该晶体管的源/漏区与该电容器的下电极之间的低阻接触。该方法在其优选实施例中使用铂作为该电容器的底部电极而不需要在铂与用于接触该MOSFET的掺杂多晶硅栓之间的扩散阻挡层。为了达到该目的,该接点的形成是在淀积诸如钡锶钛酸盐的用于形成该电容器的介质的高介电常数的材料之后。该电容器的底部电极相对于该多晶硅栓部分地偏移。

公开(公告)号：CN1268678A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN00105367.1

申请日：2000-03-31

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： U·P·施勒德尔 ,  G·昆克尔 ,  A·古特曼 ,  B·斯普勒

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405

Abstract: 提供一种光刻胶体系,它易于构造并宜于深紫外区形成图样。在以光刻法产生光刻胶结构时,通过用刻蚀保护剂处理,增强对含氧等离子体的耐刻蚀性。该蚀保护剂包括能与光刻胶反应活性基团发生化学反应的甲硅烷基化剂。在一种实施方案中,光刻胶包含最初不含芳族基团的基本树脂。甲硅烷基化剂包括四氯化硅、四氟化硅、三氯硅烷、二甲基氯硅烷和六甲基二硅氮烷。

公开(公告)号：CN1264061A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00102364.0

申请日：2000-02-17

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： U·P·施勒德尔 ,  G·昆克尔 ,  A·古特曼

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 提供一种易于构成并且适合于深紫外范围构图的光刻胶系统。通过利用蚀刻保护剂的处理,在用光刻法产生的光刻胶结构中产生对于含卤素等离子体的增强的耐蚀刻性。蚀刻保护剂主要包括芳族结构并且包含适合于与光刻胶的反应基起化学反应的反应基。在实施例中,光刻胶包含原料树脂,它在与芳族蚀刻保护剂反应之前不包含芳族基。蚀刻保护剂最好包含:芳族聚羧酸,芳族聚羧酸酐或芳族聚羧酸氯化物。