公开(公告)号：CN1263358A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN00101981.3

申请日：2000-02-01

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： U·格吕宁 ,  J·伯恩特纳 ,  D·托本 ,  G·李 ,  O·斯平德勒 ,  Z·加布里克

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L27/10876

Abstract: 一种控制半导体器件的槽内的隔离层厚度的方法,包括下述步骤:设置形成了导电材料(24)的槽(14);在该导电材料上的槽的侧壁上形成衬垫(36);在该导电材料和该侧壁上淀积选择性氧化物淀积层(40),该选择性氧化物淀积层有选择地生长,其在该导电材料(24)上的生长率大于在该侧壁的该衬垫(36)和顶部表面(43)上的生长率;以及在除了与该导电材料(24)接触的部分(42)外除去该选择性氧化物淀积层以便在槽内的该导电材料上形成隔离层。

公开(公告)号：CN1165985C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00101981.3

申请日：2000-02-01

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： U·格吕宁 ,  J·伯恩特纳 ,  D·托本 ,  G·李 ,  O·斯平德勒 ,  Z·加布里克

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L27/10876

Abstract: 一种控制半导体器件的槽内的隔离层厚度的方法，包括下述步骤：设置形成了导电材料(24)的槽(14)；在该导电材料上的槽的侧壁上形成衬垫(36)；在该导电材料和该侧壁上淀积选择性氧化物淀积层(40)，该选择性氧化物淀积层有选择地生长，其在该导电材料(24)上的生长率大于在该侧壁的该衬垫(36)和顶部表面(43)上的生长率；以及在除了与该导电材料(24)接触的部分(42)外除去该选择性氧化物淀积层以便在槽内的该导电材料上形成隔离层。