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公开(公告)号：CN117942777A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410234187.5
申请日：2024-02-29
Abstract: 本发明涉及一种二维材料/聚合物/多孔膜的复合膜及其制备方法和应用，所述复合膜包括二维材料膜、质子交换聚合物膜和多孔膜；所述质子交换聚合物膜位于所述二维材料膜和所述多孔膜之间，所述多孔膜中任选地包含有质子交换聚合物。本发明制备二维材料/聚合物/多孔膜的复合膜时，质子交换聚合物与二维材料膜之间由固‑液界面转化为固‑固界面，二维材料膜完整转移至复合膜中，质子交换聚合物膜与二维材料膜之间连接更加稳固，稳定性好，复合膜用于氢氘分离时能长时间保持良好的分离性能。
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公开(公告)号：CN115901888A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211385985.5
申请日：2022-11-07
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用，改进了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的封装方案，实现了异质结的原子级洁净度，精确控制二维平面纳米导电材料一维侧面的面积大小、侧面材料选择、掺杂基团和材料间叠层组合，并拓宽了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的异质结的应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115901888B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202211385985.5
申请日：2022-11-07
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用，改进了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的封装方案，实现了异质结的原子级洁净度，精确控制二维平面纳米导电材料一维侧面的面积大小、侧面材料选择、掺杂基团和材料间叠层组合，并拓宽了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的异质结的应用领域。
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公开(公告)号：CN117510931A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311621283.7
申请日：2023-11-28
Abstract: 本发明涉及一种纳米级厚度聚合物薄膜及制备方法，该制备方法包括：(1)使含三价和/或四价金属离子的第一溶液冷冻结冰，得第一溶液冰层；(2)在所述第一溶液冰层的表面形成包含聚合物的第二溶液的液膜，然后依次进行冷冻和静置，得所述纳米级厚度聚合物薄膜；其中，所述第一溶液和所述第二溶液中包含极性不同且能互溶的溶剂。本发明在包含三价和/或四价金属离子的第一溶液冰层的表面上形成包含聚合物的液膜，经过冷冻和静置过程，第一溶液中金属离子与聚合物通过静电力方式交联，形成包含金属离子的纳米级厚度超薄聚合物薄膜。
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公开(公告)号：CN119633608A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411809519.4
申请日：2024-12-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于石墨烯复合膜制备技术领域，具体公开了一种Nafion/石墨烯/PES‑液态Nafion半水合复合膜的制备方法及应用，其中制备方法包括：将生长有石墨烯的铜箔贴在固态Nafion膜上，铜箔上石墨烯生长质量较好的一面与固态Nafion膜接触；对器件进行热压处理；采用干法刻蚀方法刻蚀掉未与Nafion膜接触的铜箔另一面上的石墨烯；采用湿法刻蚀去除掉铜箔；室温干燥得到Nafion/石墨烯复合膜；将PES多孔膜浸润在液态Nafion中，得到PES‑液态Nafion样品；将上述样品置于水汽环境中进行半水合反应得到PES‑液态Nafion半水合膜；室温干燥后与Nafion/石墨烯复合膜进行贴合，得到Nafion/石墨烯/PES‑液态Nafion半水合复合膜。本发明制得的半水合复合膜能够在液态水中长时间电解保持稳定，能够进行重水的富集，对石墨烯能够进行较好的保护。
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公开(公告)号：CN119191470A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411305935.0
申请日：2024-09-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/44 , C01B32/198 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种超高单价/多价阳离子选择性的二维层状膜及其制备方法和应用，所述二维层状膜为修饰后的氧化石墨烯堆叠而成的膜，其中，膜内的通道内壁接枝氨基(‑NH2)；膜的表面修饰羧基基团(‑COOH)并与高价阳离子配位。本发明的膜对单价/多价阳离子具有超高选择性。
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公开(公告)号：CN112834583A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110012549.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种具有薄膜光学窗片的电化学谱学原位池及其应用，所述电化学谱学原位池包括电化学池本体，作为光学窗片的薄膜材料窗片，进液口、出液口和检测口，排气孔，密封橡胶圈，L型玻璃管和上盖板。本发明利用纳米至原子级厚度薄膜高透光率的特点，将光学窗片对光信号的散射和削弱降到最低。在谱学原位表征窗片薄膜和相应的范德华异质结构薄膜的光电化学性能的过程中，还可以完全排除空气或溶液对谱学信号和光信号的干扰。本发明的电化学谱学原位池可以实现薄膜电极表面电化学行为的高灵敏度原位谱学表征，并在极限离子浓度检测方面具有实用价值。
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