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公开(公告)号:CN115901888B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202211385985.5
申请日:2022-11-07
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用,改进了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的封装方案,实现了异质结的原子级洁净度,精确控制二维平面纳米导电材料一维侧面的面积大小、侧面材料选择、掺杂基团和材料间叠层组合,并拓宽了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的异质结的应用领域。
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公开(公告)号:CN115901888A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211385985.5
申请日:2022-11-07
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用,改进了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的封装方案,实现了异质结的原子级洁净度,精确控制二维平面纳米导电材料一维侧面的面积大小、侧面材料选择、掺杂基团和材料间叠层组合,并拓宽了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的异质结的应用领域。
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公开(公告)号:CN112834583A
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN202110012549.2
申请日:2021-01-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种具有薄膜光学窗片的电化学谱学原位池及其应用,所述电化学谱学原位池包括电化学池本体,作为光学窗片的薄膜材料窗片,进液口、出液口和检测口,排气孔,密封橡胶圈,L型玻璃管和上盖板。本发明利用纳米至原子级厚度薄膜高透光率的特点,将光学窗片对光信号的散射和削弱降到最低。在谱学原位表征窗片薄膜和相应的范德华异质结构薄膜的光电化学性能的过程中,还可以完全排除空气或溶液对谱学信号和光信号的干扰。本发明的电化学谱学原位池可以实现薄膜电极表面电化学行为的高灵敏度原位谱学表征,并在极限离子浓度检测方面具有实用价值。
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