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公开(公告)号:CN113926397B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202010674916.0
申请日:2020-07-14
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J13/00 , C01B32/192 , C01B32/198 , C02F1/14 , C02F103/08
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯吡咯气凝胶及其制备方法和应用,本方法基于石墨烯基材料化学稳定性强、耐腐蚀性好、在全波段均有光吸收的特性,并在其表面修饰光热高分子材料得到具有规则纳米孔径的石墨烯基气凝胶,在太阳光的照射下通过其表面类似黑体的特征将太阳能充分吸收并将能量转化局域到气‑液界面,同时结合焦耳热的测试手段,在减少能耗的同时来实现高效的物质分离,进而达到海水淡化的效果。本发明利用清洁可持续能源太阳能并结合焦耳热测试手段,交替不断地进行海水淡化测试,是一种能耗更低且高效的新型海水淡化方法。
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公开(公告)号:CN112844421B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202110062563.3
申请日:2021-01-18
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J27/051 , C25B11/075 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体增强MoS2电催化和/或光电催化性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制备MoS2电催化和/或光电催化剂作为前驱体;(2)制备接收MoS2催化剂反应信号的电极;(3)利用含C和F的等离子体对已经修饰在电极上的MoS2催化剂进行改性。本发明显著提升了MoS2的电催化和/或光电催化性能。该实验方法不仅简便、清洁,而且具有一定的普适性,可以应用于掺杂改性锂离子插层MoS2、水热合成MoS2、机械剥离2D MoS2、化学气相沉积2D MoS2等多种MoS2电催化剂和/或光电催化剂,并且均实现了电催化和/或光电催化性能的显著提升,对plasma增强HER、OER、ORR等电化学和/或光电化学反应催化性能具有重要意义。
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公开(公告)号:CN115901888B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202211385985.5
申请日:2022-11-07
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用,改进了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的封装方案,实现了异质结的原子级洁净度,精确控制二维平面纳米导电材料一维侧面的面积大小、侧面材料选择、掺杂基团和材料间叠层组合,并拓宽了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的异质结的应用领域。
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公开(公告)号:CN117510931A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311621283.7
申请日:2023-11-28
Abstract: 本发明涉及一种纳米级厚度聚合物薄膜及制备方法,该制备方法包括:(1)使含三价和/或四价金属离子的第一溶液冷冻结冰,得第一溶液冰层;(2)在所述第一溶液冰层的表面形成包含聚合物的第二溶液的液膜,然后依次进行冷冻和静置,得所述纳米级厚度聚合物薄膜;其中,所述第一溶液和所述第二溶液中包含极性不同且能互溶的溶剂。本发明在包含三价和/或四价金属离子的第一溶液冰层的表面上形成包含聚合物的液膜,经过冷冻和静置过程,第一溶液中金属离子与聚合物通过静电力方式交联,形成包含金属离子的纳米级厚度超薄聚合物薄膜。
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公开(公告)号:CN115901888A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211385985.5
申请日:2022-11-07
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用,改进了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的封装方案,实现了异质结的原子级洁净度,精确控制二维平面纳米导电材料一维侧面的面积大小、侧面材料选择、掺杂基团和材料间叠层组合,并拓宽了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的异质结的应用领域。
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公开(公告)号:CN112844421A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202110062563.3
申请日:2021-01-18
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J27/051 , C25B11/075 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体增强MoS2电催化和/或光电催化性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制备MoS2电催化和/或光电催化剂作为前驱体;(2)制备接收MoS2催化剂反应信号的电极;(3)利用含C和F的等离子体对已经修饰在电极上的MoS2催化剂进行改性。本发明显著提升了MoS2的电催化和/或光电催化性能。该实验方法不仅简便、清洁,而且具有一定的普适性,可以应用于掺杂改性锂离子插层MoS2、水热合成MoS2、机械剥离2D MoS2、化学气相沉积2D MoS2等多种MoS2电催化剂和/或光电催化剂,并且均实现了电催化和/或光电催化性能的显著提升,对plasma增强HER、OER、ORR等电化学和/或光电化学反应催化性能具有重要意义。
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公开(公告)号:CN117942777A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410234187.5
申请日:2024-02-29
Abstract: 本发明涉及一种二维材料/聚合物/多孔膜的复合膜及其制备方法和应用,所述复合膜包括二维材料膜、质子交换聚合物膜和多孔膜;所述质子交换聚合物膜位于所述二维材料膜和所述多孔膜之间,所述多孔膜中任选地包含有质子交换聚合物。本发明制备二维材料/聚合物/多孔膜的复合膜时,质子交换聚合物与二维材料膜之间由固‑液界面转化为固‑固界面,二维材料膜完整转移至复合膜中,质子交换聚合物膜与二维材料膜之间连接更加稳固,稳定性好,复合膜用于氢氘分离时能长时间保持良好的分离性能。
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公开(公告)号:CN119633608A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411809519.4
申请日:2024-12-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于石墨烯复合膜制备技术领域,具体公开了一种Nafion/石墨烯/PES‑液态Nafion半水合复合膜的制备方法及应用,其中制备方法包括:将生长有石墨烯的铜箔贴在固态Nafion膜上,铜箔上石墨烯生长质量较好的一面与固态Nafion膜接触;对器件进行热压处理;采用干法刻蚀方法刻蚀掉未与Nafion膜接触的铜箔另一面上的石墨烯;采用湿法刻蚀去除掉铜箔;室温干燥得到Nafion/石墨烯复合膜;将PES多孔膜浸润在液态Nafion中,得到PES‑液态Nafion样品;将上述样品置于水汽环境中进行半水合反应得到PES‑液态Nafion半水合膜;室温干燥后与Nafion/石墨烯复合膜进行贴合,得到Nafion/石墨烯/PES‑液态Nafion半水合复合膜。本发明制得的半水合复合膜能够在液态水中长时间电解保持稳定,能够进行重水的富集,对石墨烯能够进行较好的保护。
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公开(公告)号:CN113926397A
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202010674916.0
申请日:2020-07-14
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J13/00 , C01B32/192 , C01B32/198 , C02F1/14 , C02F103/08
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯吡咯气凝胶及其制备方法和应用,本方法基于石墨烯基材料化学稳定性强、耐腐蚀性好、在全波段均有光吸收的特性,并在其表面修饰光热高分子材料得到具有规则纳米孔径的石墨烯基气凝胶,在太阳光的照射下通过其表面类似黑体的特征将太阳能充分吸收并将能量转化局域到气‑液界面,同时结合焦耳热的测试手段,在减少能耗的同时来实现高效的物质分离,进而达到海水淡化的效果。本发明利用清洁可持续能源太阳能并结合焦耳热测试手段,交替不断地进行海水淡化测试,是一种能耗更低且高效的新型海水淡化方法。
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