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公开(公告)号:CN106591914A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611252659.1
申请日:2016-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C25D9/08 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , C25D9/08 , H01L31/0322 , H01L31/1876
Abstract: 本发明涉及一种电沉积法制备的铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层,其特征在于,所述工艺步骤包括:电沉积前驱体薄膜、热处理两个步骤。选用硫酸铜、硫酸铟、二氧化硒、硫代硫酸钠分别作为Cu源、In源、Se源、S源,按照Cu:In:Se:S=8:20:5:10的摩尔比制备前驱体溶液,以石墨为阳极,待沉积衬底为阴极,进行电沉积形成前驱体薄膜,400℃氮气气氛下热处理,即得到铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层。本发明涉及的制备方法简单,反应条件温和,成本低。本发明制备的铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层结构致密,表面平整,其禁带宽度为1.49eV,满足实际应用需要。
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公开(公告)号:CN106591914B
公开(公告)日:2019-01-18
申请号:CN201611252659.1
申请日:2016-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C25D9/08 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种电沉积法制备的铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层,其特征在于,所述工艺步骤包括:电沉积前驱体薄膜、热处理两个步骤。选用硫酸铜、硫酸铟、二氧化硒、硫代硫酸钠分别作为Cu源、In源、Se源、S源,按照Cu:In:Se:S=8:20:5:10的摩尔比制备前驱体溶液,以石墨为阳极,待沉积衬底为阴极,进行电沉积形成前驱体薄膜,400℃氮气气氛下热处理,即得到铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层。本发明涉及的制备方法简单,反应条件温和,成本低。本发明制备的铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层结构致密,表面平整,其禁带宽度为1.49eV,满足实际应用需要。
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公开(公告)号:CN203866411U
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201420326395.X
申请日:2014-06-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种薄膜太阳能电池静电纺丝机的喷口,它涉及一种喷口。本实用新型为了解决现有静电纺丝设备无法对薄膜太阳能电池进行喷涂的问题。本实用新型的喷头中部(2)和喷头前端(4)均为空心柱状结构,喷头尾部(1)设有多个圆孔(1-1),每个圆孔(1-1)内竖直穿设有一根毛细管(5),喷头中部(2)套装在喷头尾部(1)上,通电旋钮(3)水平旋拧在喷头中部(2)上,喷头前端(4)旋拧在喷头中部(2)内,针孔板(6)插在多根毛细管(5)上并设置在喷头前端(4)内。本实用新型用于薄膜太阳能电池的制作。
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公开(公告)号:CN205420577U
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201620192577.1
申请日:2016-03-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种3D打印太阳能电池薄膜制备装置,它涉及一种薄膜制备装置。本实用新型为了解决现有的太阳能电池薄膜电沉积制备装置精度低、电极不易固定的问题。本实用新型的底座(1)、盛液槽(2)、圆形凹槽(3)、导电基底固定凹槽(4)和正电极材料固定凹槽(5)是无缝连接,为3D打印的一个整体,圆形凹槽(3)位于底座(1)顶部中央位置,导电基底固定凹槽(4)位于盛液槽(2)底部一侧,正电极材料固定凹槽(5)位于盛液槽(2)底部,与导电基底固定凹槽(4)相对的一侧。本实用新型用于太阳能电池薄膜的制作。
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