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公开(公告)号：CN116497394A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310467307.1
申请日：2023-04-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/052
Abstract: 本发明提供一种硫化钼/硫化铜复合催化剂、工作电极及其制备方法，属于电催化材料技术领域，所述制备方法包括：将硫酸铜和柠檬酸钠溶解于去离子水中，得到溶液A；将氢氧化钠溶液加入溶液A中，得到溶液B；向溶液B中滴加抗坏血酸溶液，在室温下陈化，形成砖红色沉淀；将砖红色沉淀分离，得到立方体状的氧化亚铜；将立方体状的氧化亚铜与去离子水混合得到混合溶液，然后加入钼酸铵和硫脲，得到溶液C；将溶液C转移至反应釜中，加热反应后冷却至室温，得到硫化钼/硫化铜复合催化剂。本发明提供的硫化钼/硫化铜复合催化剂成本较低，制备工艺简单，制备周期较短，且具有优良的电催化析氢性能、无毒无害，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119019701A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411123699.0
申请日：2024-08-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种囊包铁钼多酸的铜卟啉金属有机框架的制备与应用，本发明所得到的复合材料用于常温常压下电催化硝酸盐还原合成氨。本发明设计与制备了一种以富电子的过渡金属单取代Keggin型铁钼多酸(PMo11Fe)和过渡金属铜取代的四(4‑羧基苯基)卟啉(Cu‑TCPP)为原料，通过简单的一步溶剂热法获得了囊包铁钼多酸的铜卟啉金属有机框架(PMo11Fe@NU‑902(Cu))。利用NU‑902(Cu)周期性的孔隙和规则的结构封装PMo11Fe，克服了PMo11Fe易团聚易溶于水的问题，同时得到的PMo11Fe@NU‑902(Cu)材料可结合PMo11Fe多酸可逆的氧化还原活性和NU‑902(Cu)金属有机框架比表面积大、催化活性位点丰富及结构稳定的优点。本发明所制备的材料对电催化硝酸盐还原合成氨的产率为19.38mg h–1mg cat.–1，法拉第效率为89.44％。本发明制备过程简便快捷，且成本低廉，所得材料具有良好的电催化合成氨性能。
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公开(公告)号：CN118684197A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410817393.9
申请日：2024-06-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供一种空心硒化钴纳米球的制备方法，属于催化材料技术领域，所述制备方法包括：将硝酸钴溶于氢氧化钠溶液中，获得氢氧化钴溶液；将氢氧化钴溶液转移至反应釜中，进行水热反应后得到水合氧化钴纳米片；将水合氧化钴分散在去离子水中，得到第一混合溶液；将硒粉溶于水合肼中，得到第二混合溶液；将第一混合溶液加入第二混合溶液中，得到第三混合溶液；将第三混合溶液转移至反应釜中，进行水热反应后得到硒化钴纳米球。本发明提供的空心硒化钴纳米球成本较低，制备工艺简单，反应条件温和，制备周期较短，且具有优良的电催化析氢性能、无毒无害，有利于环境和能源的可持续发展，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119307951A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411251627.4
申请日：2024-09-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C25B11/04 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供一种CuS@C/MoS2复合材料的制备方法，所述制备方法包括：将硫酸铜和柠檬酸钠溶于去离子水中，得到A溶液；将氢氧化钠溶液和抗坏血酸溶液先后加入到A溶液中，搅拌一段时间后，陈化得到氧化亚铜；将氧化亚铜‑甲醇溶液与多巴胺‑甲醇溶液混合得到D溶液，通过离心、洗涤、干燥得到聚多巴胺包覆氧化亚铜(Cu2O@PDA)；将Cu2O@PDA粉末置于氩气气氛的管式炉中，得到Cu2O@C粉末；将钼酸铵和硫脲加入到Cu2O@C水溶液得到E溶液，将E溶液转移至反应釜中进行水热反应后，冷却后离心、洗涤、干燥得到CuS@C/MoS2复合材料。本发明提供的CuS@C/MoS2复合材料的制备方法，具有良好的导电性能和催化活性，且成本低，工艺简便，具有优良的析氢性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118561240A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410614507.X
申请日：2024-05-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供一种硒化镍/硒化钴纳米带复合催化剂的制备方法，所述制备方法包括：在室温下将醋酸钴和亚硒酸钠加入到去离子水和二乙烯三胺的混合溶液A中，搅拌得到溶液B，将溶液B进行水热反应后，通过洗涤和干燥得到硒化钴纳米带前驱体；将硒粉、硝酸镍和十六烷基三甲基溴化铵加入到N,N‑二甲基甲酰胺和乙二胺混合溶液C中，搅拌得到混合溶液D，向溶液D中加入硒化钴纳米带前驱体超声使其分散得到溶液E，溶液E进行水热反应后，通过洗涤和干燥得到硒化镍/硒化钴纳米带复合催化剂。本发明提供的硒化镍/硒化钴纳米带复合催化剂成本较低，制备周期较短，具有优良的电催化析氢性能。
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公开(公告)号：CN118064776B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410414611.4
申请日：2024-04-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法，本发明涉及金属材料制备技术领域，具体涉及一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法。本发明要解决现有Mg‑Sc形状记忆合金的相变温度极低、超弹性滞后较大、成本高的问题。化学通式为Mg‑17.1875at.％Sc‑1.5625at.％X，其中X表示Co或Ge。包括：一、搭建各元素掺杂后奥氏体与马氏体模型；二、计算优化后奥氏体与马氏体相变温度、相变应变，初步确定合金掺杂元素；三、通过对相变过程的插值处理并进行计算，绘制出合金的应力应变曲线。采用第一性原理计算法从找到一种轻质Mg‑Sc基形状记忆合金，具有相变温度在室温附近、超弹性良好、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117535560A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311326421.9
申请日：2023-10-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法，本发明属于形状记忆合金固态制冷技术领域，具体涉及一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Co‑V‑Ga基形状记忆合金弹热制冷材料施加应力大且绝热温变低的问题。化学通式为Co51.7V31.3Ga17‑xTix，0≤x≤3。采用铸态多晶合金电弧熔炼和均匀化热处理技术制备；应力滞后仅21MPa，400MPa驱动应力下就有‑10K的大绝热温变；性能系数COP最大达到31.7，本发明的工艺流程简单、超弹性能优异和大弹热效应等优点，在弹热制冷领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN117535560B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311326421.9
申请日：2023-10-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法，本发明属于形状记忆合金固态制冷技术领域，具体涉及一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Co‑V‑Ga基形状记忆合金弹热制冷材料施加应力大且绝热温变低的问题。化学通式为Co51.7V31.3Ga17‑xTix，0≤x≤3。采用铸态多晶合金电弧熔炼和均匀化热处理技术制备；应力滞后仅21MPa，400MPa驱动应力下就有‑10K的大绝热温变；性能系数COP最大达到31.7，本发明的工艺流程简单、超弹性能优异和大弹热效应等优点，在弹热制冷领域具有潜在的应用前景。
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