公开(公告)号：CN118064776B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410414611.4

申请日：2024-04-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张航源 ,  赵文彬 ,  袁浩森 ,  李健 ,  谭昌龙

IPC: C22C23/06 ,  C22C1/00

Abstract: 一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法，本发明涉及金属材料制备技术领域，具体涉及一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法。本发明要解决现有Mg‑Sc形状记忆合金的相变温度极低、超弹性滞后较大、成本高的问题。化学通式为Mg‑17.1875at.％Sc‑1.5625at.％X，其中X表示Co或Ge。包括：一、搭建各元素掺杂后奥氏体与马氏体模型；二、计算优化后奥氏体与马氏体相变温度、相变应变，初步确定合金掺杂元素；三、通过对相变过程的插值处理并进行计算，绘制出合金的应力应变曲线。采用第一性原理计算法从找到一种轻质Mg‑Sc基形状记忆合金，具有相变温度在室温附近、超弹性良好、成本低的优点。

公开(公告)号：CN118064776A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410414611.4

申请日：2024-04-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张航源 ,  赵文彬 ,  袁浩森 ,  李健 ,  谭昌龙

IPC: C22C23/06 ,  C22C1/00

Abstract: 一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法，本发明涉及金属材料制备技术领域，具体涉及一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法。本发明要解决现有Mg‑Sc形状记忆合金的相变温度极低、超弹性滞后较大、成本高的问题。化学通式为Mg‑17.1875at.％Sc‑1.5625at.％X，其中X表示Co或Ge。包括：一、搭建各元素掺杂后奥氏体与马氏体模型；二、计算优化后奥氏体与马氏体相变温度、相变应变，初步确定合金掺杂元素；三、通过对相变过程的插值处理并进行计算，绘制出合金的应力应变曲线。采用第一性原理计算法从找到一种轻质Mg‑Sc基形状记忆合金，具有相变温度在室温附近、超弹性良好、成本低的优点。

公开(公告)号：CN116355746A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310498439.0

申请日：2023-05-06

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李松达 ,  刘欣 ,  董振超 ,  陈前 ,  张航源 ,  谢兴平 ,  张思瑜 ,  袁浩森

IPC: C12M1/36 ,  C12M1/34 ,  C12M1/22 ,  C12M1/00

Abstract: 本发明公开了本发明涉及纤维素面膜生产设备技术领域，尤其涉及一种细菌纤维素面膜发酵设备及方法，包括发酵罐本体，所述发酵罐本体前后侧内壁呈一竖排均匀固定有U形框，U形框前后侧内壁均转动连接有安装杆，安装杆外壁均套接固定有连接板，所述连接板上端均固定有培养皿本体，培养皿本体两侧壁上端均设有缺口，缺口底侧内壁均固定有震荡排液盘，所述震荡排液盘下端均设有用于回收培养基液的回料盘。本发明设计巧妙，结构精简，在纤维素面膜发酵时能实现连续振荡，很好的保证了面膜发酵反应的速率和反应的全面性，且全程反应均在发酵罐本体内进行，从而达到无菌培养的要求，大大提高了纤维素面膜的利用率。