公开(公告)号：CN101403096A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810137466.0

申请日：2008-11-06

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 孟国哲 ,  魏立艳 ,  邵亚薇 ,  张涛 ,  王福会

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供的是一种具有高耐蚀性纳米孪晶铝表面膜材料及其制备方法。在磁控溅射离子镀膜机中，以纯度为99.9％的铝为靶材，采用磁控溅射离子镀技术在基材表面上形成孪晶铝结构层，孪晶铝结构层的孪晶晶粒尺寸为100～400nm，溅射参数如下：真空室中绝对压力为4.5～5.5×10－3Pa、氩气压力为0.35～0.45Pa、偏压为780－820V、占空比为45～55％，对基材活化10～15min、然后镀膜，功率为13～14KW、偏压调制145～160V、转速8r/min，镀膜时间为80～120min。本发明对设备要求简单，普通磁控溅射离子镀膜机即可完成；具有无毒无污染，非常环保；工艺操作简单，易于控制，产品机械性能提高，高的耐蚀性能，成本低，非常适合工业化生产。

公开(公告)号：CN101403096B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810137466.0

申请日：2008-11-06

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 孟国哲 ,  魏立艳 ,  邵亚薇 ,  张涛 ,  王福会

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供的是一种具有高耐蚀性纳米孪晶铝表面膜材料的制备方法。在磁控溅射离子镀膜机中，以纯度为99.9％的铝为靶材，采用磁控溅射离子镀技术在基材表面上形成孪晶铝结构层，孪晶铝结构层的孪晶晶粒尺寸为100～400nm，溅射参数如下：真空室中绝对压力为4.5～5.5×10-3Pa、氩气压力为0.35～0.45Pa、偏压为780-820V、占空比为45～55％，对基材活化10～15min、然后镀膜，功率为13～14KW、偏压调制145～160V、转速8r/min，镀膜时间为80～120min。本发明对设备要求简单，普通磁控溅射离子镀膜机即可完成；具有无毒无污染，非常环保；工艺操作简单，易于控制，产品机械性能提高，高的耐蚀性能，成本低，非常适合工业化生产。