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公开(公告)号:CN119395614A
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202510000190.5
申请日:2025-01-02
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁阀测试台架,包括主体单元、力测试单元以及位移测试单元,力测试单元以及位移测试单元均与主体单元可拆装连接,提高了电磁阀测试台架的灵活适应性。在力测试单元与主体单元连接时,装卡夹具能够固定待测电磁阀,升降平台与主体升降台相配合带动待测电磁阀的阀芯产生目标位移后,利用力传感器测试电磁力。在位移测试单元与主体单元连接时,装卡夹具固定待测电磁阀,主体升降台带动待测电磁阀的阀芯运动调节电磁铁气隙,利用位移传感器测试待测电磁阀的阀芯位移响应,还可以使待测电磁阀连接负载进行带载测试。本发明在主体单元结构不变的情况下,可选择性安装力测试单元或位移测试单元,以满足不同的测试需求。
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公开(公告)号:CN119448799A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202510018328.4
申请日:2025-01-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本申请公开了一种LVDT高频信号处理电路,涉及位移传感器领域,包括初级线圈激励模块结合DDS频率源以及AGC稳幅控制电路向LVDT提供高频激励信号;次级线圈信号处理模块采用无损整流电路无损整流LVDT的输出信号;无损整流电路包括输入隔离与偏置电路、隔离低通滤波器以及模拟开关;输入隔离与偏置电路对输出信号进行隔离与偏置处理,并输出两个不同通道下具有偏置量且相位相差180度的模拟信号;隔离低通滤波器防止模拟开关的毛刺信号向前传递;模拟开关在数字控制信号的控制下,将两个相位相差180度的模拟信号选择性接入输出通道,输出无损整流后的信号,本申请满足高频LVDT对高频激励源的需求,不存在因二极管导通压降产生的死区问题。
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