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发明公开
新型双相高熵合金同轴送粉激光沉积的制备方法及产品审中-实审

公开(公告)号：CN118385609A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410646389.0

申请日：2024-05-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 果春焕 , 范庆元 , 姜风春 , 高华兵 , 王同方

IPC: B22F10/28 , C22C1/04 , C22C30/00 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00

Abstract: 本发明公开了一种新型双相高熵合金同轴送粉激光沉积的制备方法，所述高熵合金粉末中各元素的摩尔比为：Al:Co:Cr:Fe:Ni:Cu＝1:1:1:1:2:1。本发明提供的高熵合金粉末成分分布均匀，球形度高。利用本发明的高熵合金粉末，作为同轴送粉激光沉积的原始粉末制备得到的高熵合金，具有结构致密均匀、孔隙少、未融化颗粒少、与基板结合良好的特点。

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