一种表面两性离子化有机硅防污涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN115595063B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202211218610.X

    申请日:2022-10-06

    Abstract: 本发明公开了一种表面两性离子化有机硅防污涂层及制备方法。本发明首先以羟基封端的聚二甲基硅氧烷和N‑氨乙基‑3‑氨丙基甲基二甲氧基硅烷为原料,四甲基氢氧化铵为催化剂,制备一系列含不同比例氨基侧链的聚二甲基硅氧烷树脂;然后以3‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷作固化剂使侧链氨基改性的聚二甲基硅氧烷交联固化;之后将固化的有机硅涂层浸泡在1,3‑丙烷磺酸内酯的丙酮溶液中进行离子化。对于两性离子化的聚二甲基硅氧烷既保留了有机硅材料低表面能的特性而且其表面的两性离子链可以形成水化层减少藻类等海洋污损生物的附着。

    一种表面两性离子化有机硅防污涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN115595063A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211218610.X

    申请日:2022-10-06

    Abstract: 本发明公开了一种表面两性离子化有机硅防污涂层及制备方法。本发明首先以羟基封端的聚二甲基硅氧烷和N‑氨乙基‑3‑氨丙基甲基二甲氧基硅烷为原料,四甲基氢氧化铵为催化剂,制备一系列含不同比例氨基侧链的聚二甲基硅氧烷树脂;然后以3‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷作固化剂使侧链氨基改性的聚二甲基硅氧烷交联固化;之后将固化的有机硅涂层浸泡在1,3‑丙烷磺酸内酯的丙酮溶液中进行离子化。对于两性离子化的聚二甲基硅氧烷既保留了有机硅材料低表面能的特性而且其表面的两性离子链可以形成水化层减少藻类等海洋污损生物的附着。

    一种基于拷贝相关与空子载波结合的多普勒估计方法

    公开(公告)号:CN105282082A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510627572.7

    申请日:2015-09-28

    CPC classification number: H04L27/2647 H04B13/02 H04L25/0222

    Abstract: 本发明公开了一种基于拷贝相关与空子载波结合的多普勒估计方法,包括以下步骤,在发射端将待发送的二进制数据调制成插入有空子载波的OFDM符号;将L个OFDM符号进行组帧,在每帧信号首尾插入线性调频信号;在接收端对接收信号进行采样,采用拷贝相关进行多普勒粗估;通过粗估的多普勒因子计算得到发射端与接收端的相对移动速度;估算出的相对移动速度附近对一帧信号中每个OFDM符号进行速度补偿,采用DFT求解速度补偿时每个OFDM符号空子载波处能量和,能量和最小所对应的速度是精确估计的速度,得到精确估计的多普勒因子。本发明提高了估计精度,减少了线性调频信号的插入个数,提高通信速率的同时降低了运算量。

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