公开(公告)号：CN102311521A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110141761.5

申请日：2011-05-30

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 董红星 ,  王艳辉 ,  李俊青 ,  佟飞 ,  王振兴 ,  沈贤德

IPC: C08F265/02 ,  C08F2/44 ,  C08J9/26 ,  B01J20/285 ,  B01J20/30 ,  B01D15/10

Abstract: 本发明提供的是一种联萘胺分子印迹聚合物的制备方法及应用方法。将S-1，1-联萘-2-胺和甲基丙烯酸溶于制孔剂中，超声条件下通氮气5分钟，18℃常压条件下预聚合10小时，使S-1，1-联萘-2-胺与甲基丙烯酸充分作用形成复合物，加入二甲基丙烯酸乙二醇酯及偶氮二异丁腈，再次在超声条件下通氮气5分钟，然后置于60℃恒温水浴锅中聚合12小时，得到块状分子印迹聚合物，粉碎、研磨，过60μm-20μm筛后，用丙酮反复沉降，去除极细颗粒，干燥后得到联萘胺分子印迹聚合物。作为高效液相色谱固定相，实现对外消旋DABN的手性拆分，其分离因子可达2.4。本发明的方法分离性能高，成本低，操作简单，稳定性好。

公开(公告)号：CN101597783A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910072431.8

申请日：2009-07-01

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 于湘 ,  李俊青 ,  王君 ,  景晓燕 ,  张密林

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明提供的是一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法。在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入N2、电解液pH值为4.5～8.5、扫描速率为5～30mV/s、扫描次数为5～15次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜。本发明提出将缓蚀性阴离子插层水滑石，通过电沉积方法在镁合金表面形成薄膜，通过微量Cl－的刻蚀和缓蚀性离子优异的吸附成膜性，在镁合金表面形成了一种具有吸附腐蚀性离子、释放缓蚀剂功能的保护膜，此膜层具有防腐性，与镁合金基体有良好的结合性，同时可以与有机涂层较好地粘合。

公开(公告)号：CN101597783B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910072431.8

申请日：2009-07-01

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 于湘 ,  李俊青 ,  王君 ,  景晓燕 ,  张密林

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明提供的是一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法。在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入N2、电解液pH值为4.5～8.5、扫描速率为5～30mV/s、扫描次数为5～15次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜。本发明提出将缓蚀性阴离子插层水滑石，通过电沉积方法在镁合金表面形成薄膜，通过微量Cl-的刻蚀和缓蚀性离子优异的吸附成膜性，在镁合金表面形成了一种具有吸附腐蚀性离子、释放缓蚀剂功能的保护膜，此膜层具有防腐性，与镁合金基体有良好的结合性，同时可以与有机涂层较好地粘合。