公开(公告)号：CN101597783A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910072431.8

申请日：2009-07-01

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 于湘 ,  李俊青 ,  王君 ,  景晓燕 ,  张密林

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明提供的是一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法。在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入N2、电解液pH值为4.5～8.5、扫描速率为5～30mV/s、扫描次数为5～15次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜。本发明提出将缓蚀性阴离子插层水滑石，通过电沉积方法在镁合金表面形成薄膜，通过微量Cl－的刻蚀和缓蚀性离子优异的吸附成膜性，在镁合金表面形成了一种具有吸附腐蚀性离子、释放缓蚀剂功能的保护膜，此膜层具有防腐性，与镁合金基体有良好的结合性，同时可以与有机涂层较好地粘合。

公开(公告)号：CN101418154A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810137582.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王君 ,  何洋 ,  于湘 ,  李丹丹 ,  景晓燕 ,  张密林

IPC: C09D7/12 ,  C09D163/00 ,  C09D5/08 ,  C23F11/18

Abstract: 本发明提供的是缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料、制备方法及应用。采用一步共沉淀法和焙烧复原法在水滑石层间直接插入缓蚀剂阴离子。通过控制二价金属离子和三价金属离子的配比，反应溶液的pH值，反应温度，在水滑石晶体生成过程中，原位同步生成纳米氧化物，从而制备具有防腐功能的缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料。本发明的主要特征在于：纳米片层结构的水滑石/氧化物复合材料的原位制备方法；通过引入具有抗腐蚀作用的缓蚀剂及在反应过程中原位生成的纳米氧化物，来提高缓蚀剂的释放量，降低涂层的吸水性。该复合材料可用于作为金属防腐蚀涂层体系的颜料，特别对提高镁合金防腐涂层的防腐性能具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN101597783B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910072431.8

申请日：2009-07-01

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 于湘 ,  李俊青 ,  王君 ,  景晓燕 ,  张密林

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明提供的是一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法。在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入N2、电解液pH值为4.5～8.5、扫描速率为5～30mV/s、扫描次数为5～15次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜。本发明提出将缓蚀性阴离子插层水滑石，通过电沉积方法在镁合金表面形成薄膜，通过微量Cl-的刻蚀和缓蚀性离子优异的吸附成膜性，在镁合金表面形成了一种具有吸附腐蚀性离子、释放缓蚀剂功能的保护膜，此膜层具有防腐性，与镁合金基体有良好的结合性，同时可以与有机涂层较好地粘合。