公开(公告)号：CN106048528B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610530653.X

申请日：2016-07-07

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 商成火 ,  胡泓 ,  邓杨

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  H03H9/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜电极制备方法及装置，对制备Mo的衬底进行清洗；将清洗后的制备Mo的衬底置于Mo溅射线的预热腔室；将烘干后的制备Mo的衬底置于Mo溅射腔室，进行MoOx溅射；进行Mo工艺的溅射，使用MoOx不通氧气的工艺，通过两层工艺，第一层在溅射过程中通入少量氧气(0.001％‑0.5％)形成MoOx化合物，此过渡层MoOx与玻璃等衬底具有良好的粘附力，其他根据Mo电极的要求进行正常的磁控溅射工艺，从而提高基底粘附力，实现提高量产效率的目的。

公开(公告)号：CN106048528A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610530653.X

申请日：2016-07-07

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 商成火 ,  胡泓 ,  邓杨

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  H03H9/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01B13/0026 ,  H03H9/02007

Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜电极制备工艺的方法及装置，对制备Mo的衬底进行清洗；将清洗后的制备Mo的衬底置于Mo溅射线的预热腔室；将烘干后的制备Mo的衬底置于Mo溅射腔室，进行MoOx溅射；进行Mo工艺的溅射，使用MoOx不通氧气的工艺，通过两层工艺，第一层在溅射过程中通入少量氧气(0.001％‑0.5％)形成MoOx化合物，此过渡层MoOx与玻璃等衬底具有良好的粘附力，其他根据Mo电极的要求进行正常的磁控溅射工艺，从而提高基底粘附力，实现提高量产效率的目的。