一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法

    公开(公告)号:CN106825998B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201710113988.6

    申请日:2017-02-28

    Abstract: 本发明提供了一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法:采用粒径为30nm‑60nm的表面无氧化的铜纳米颗粒,按照质量比为2:1‑5:1的比例与有机溶剂混合,经机械搅拌和行星式重力搅拌充分后,得到纳米铜焊膏。本发明进一步提供表面无氧化铜纳米颗粒的制备方法,采用本发明中的方法所制备得到的无氧化纳米铜焊膏具有比普通纳米铜焊膏以及锡铅钎料更高的导电性能和更好的力学性能。本发明中的制备方法简单实用,对环境无污染,可产业化推广应用。

    一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法

    公开(公告)号:CN106825998A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710113988.6

    申请日:2017-02-28

    CPC classification number: B23K35/40

    Abstract: 本发明提供了一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法:采用粒径为30nm‑60nm的表面无氧化的铜纳米颗粒,按照质量比为2:1‑5:1的比例与有机溶剂混合,经机械搅拌和行星式重力搅拌充分后,得到纳米铜焊膏。本发明进一步提供表面无氧化铜纳米颗粒的制备方法,采用本发明中的方法所制备得到的无氧化纳米铜焊膏具有比普通纳米铜焊膏以及锡铅钎料更高的导电性能和更好的力学性能。本发明中的制备方法简单实用,对环境无污染,可产业化推广应用。

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