公开(公告)号：CN110347014A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910639978.5

申请日：2019-07-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 宋清海 ,  王雨杰 ,  代振兴 ,  肖淑敏

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明属于光电探测器件制备技术领域，具体涉及一种制备高纵宽比二氧化钛的垂直刻蚀工艺，所述工艺包括：在ITO玻璃片上镀上一定厚度的二氧化钛，然后在二氧化钛上用均匀旋涂一层PMMA光刻胶；然后通过电子束使得PMMA会发生变性，固化去除，然后在PMMA的地方镀上一层金属掩膜；再对二氧化钛和金属掩膜采用不同的刻蚀速率进行垂直刻蚀，得到高纵宽比的二氧化钛。该工艺具有侧壁近似垂直；选择比高；能加工纵宽比很大的结构；加工方便等优势。

公开(公告)号：CN115403002B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202210982168.1

申请日：2022-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 肖淑敏 ,  刘怡麟 ,  王雨杰 ,  宋清海

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明提供了一种倾斜微纳结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤S1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；步骤S2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤S3，将步骤S2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5°‑70°，所述槽型载件的开口上覆盖金属隔离网；步骤S4，移除残余的掩模层。采用本发明的技术方案的刻蚀方法，能够使微纳结构倾斜角在5‑70度可控，精细控制的倾斜角度能够大大减小所设计微纳结构的制备误差。而且不受材料限制，适用与多种不同介质材料。

公开(公告)号：CN112987290A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110250375.3

申请日：2021-03-08

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳) ,  香港理工大学

Inventor： 宋清海 ,  陈钦杪 ,  王雨杰 ,  蔡定平 ,  肖淑敏

IPC: G02B27/00 ,  G02B3/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明提供了一种可见光消色差超构透镜及其制备方法，该可见光消色差超构透镜包括亚波长的基本单元，所述可见光消色差超构透镜基本单元的相位分布ϕ(r,ω)满足公式（1），排布在r处的基本单元同时满足如公式（3）的中心频率ωo对应的相位分布ϕo(r,ωo)和如公式（4）相应的群延迟大小。采用本发明的技术方案，在420‑700纳米波长范围内，实现宽带消色差，并且聚焦效率得到显著提升，仿真结果表明其平均效率高达88.3%以上；且消色差超构透镜的数值孔径得到了提升；纵深比也得到提升。

公开(公告)号：CN115403002A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210982168.1

申请日：2022-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 肖淑敏 ,  刘怡麟 ,  王雨杰 ,  宋清海

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明提供了一种倾斜微纳结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤S1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；步骤S2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤S3，将步骤S2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5°‑70°，所述槽型载件的开口上覆盖金属隔离网；步骤S4，移除残余的掩模层。采用本发明的技术方案的刻蚀方法，能够使微纳结构倾斜角在5‑70度可控，精细控制的倾斜角度能够大大减小所设计微纳结构的制备误差。而且不受材料限制，适用与多种不同介质材料。