公开(公告)号：CN115403002A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210982168.1

申请日：2022-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 肖淑敏 ,  刘怡麟 ,  王雨杰 ,  宋清海

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明提供了一种倾斜微纳结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤S1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；步骤S2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤S3，将步骤S2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5°‑70°，所述槽型载件的开口上覆盖金属隔离网；步骤S4，移除残余的掩模层。采用本发明的技术方案的刻蚀方法，能够使微纳结构倾斜角在5‑70度可控，精细控制的倾斜角度能够大大减小所设计微纳结构的制备误差。而且不受材料限制，适用与多种不同介质材料。

公开(公告)号：CN115403002B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202210982168.1

申请日：2022-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 肖淑敏 ,  刘怡麟 ,  王雨杰 ,  宋清海

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明提供了一种倾斜微纳结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤S1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；步骤S2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤S3，将步骤S2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5°‑70°，所述槽型载件的开口上覆盖金属隔离网；步骤S4，移除残余的掩模层。采用本发明的技术方案的刻蚀方法，能够使微纳结构倾斜角在5‑70度可控，精细控制的倾斜角度能够大大减小所设计微纳结构的制备误差。而且不受材料限制，适用与多种不同介质材料。