公开(公告)号：CN114107913A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111225726.1

申请日：2021-10-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 ,  李晋阳 ,  汪海林 ,  张金萍

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C30B29/22 ,  C30B28/02 ,  C23C14/54 ,  H01F1/03

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明首先制备得到一种新型的磁性材料为La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3(L5BO)，其借助各序参量之间的耦合效应有潜力实现更为丰富、新颖的物理特征；然后，以L5BO高熵金属氧化物陶瓷靶材，借助脉冲激光沉积技术在SrTiO3(STO)单晶衬底上生长L5BO薄膜。本发明得到质量良好的单晶高熵钙钛矿型氧化物外延薄膜。本发明首次在单晶纯相的氧化物外延薄膜中实现磁滞回线在垂直方向的位移调控，在磁性器件中有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN114107913B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202111225726.1

申请日：2021-10-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 ,  李晋阳 ,  汪海林 ,  张金萍

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C30B29/22 ,  C30B28/02 ,  C23C14/54 ,  H01F1/03

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明首先制备得到一种新型的磁性材料为La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3(L5BO)，其借助各序参量之间的耦合效应有潜力实现更为丰富、新颖的物理特征；然后，以L5BO高熵金属氧化物陶瓷靶材，借助脉冲激光沉积技术在SrTiO3(STO)单晶衬底上生长L5BO薄膜。本发明得到质量良好的单晶高熵钙钛矿型氧化物外延薄膜。本发明首次在单晶纯相的氧化物外延薄膜中实现磁滞回线在垂直方向的位移调控，在磁性器件中有巨大的应用潜力。