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发明公开
一种铁磁绝缘体材料、制备方法及其应用无效

公开(公告)号：CN113718198A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110832648.5

申请日：2021-07-22

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 , 张智强 , 张金萍

IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/58 , H01F1/03 , H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种铁磁绝缘体材料、制备方法及其应用，所述铁磁绝缘体材料的结构式为(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)3O4，其制备方法包括如下：通过烧结得到(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)3O4陶瓷靶材；采用(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)3O4陶瓷靶材，通过脉冲激光沉积的方法在衬底上进行薄膜沉积，得到铁磁绝缘体材料。采用本发明的技术方案，通过多种元素以等摩尔比掺杂，得到的材料能够以单相稳定存在，能够同时具备较强的磁性、较高的电阻率、高居里温度和良好的外延生长性，可以满足磁性器件开发的需求。

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