公开(公告)号：CN109119539A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810857198.3

申请日：2018-07-31

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 张化宇 ,  刘益林 ,  汪桂根 ,  吴博文 ,  安小帅 ,  张岙

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开一种硅纳米线/PEDOT:PSS-DMSO有机无机杂化太阳电池及其制备方法，该制备方法包括单面抛光硅片的清洗、银纳米颗粒的沉积、刻蚀、DMSO掺杂对PEDOT:PSS层的制备、正面银栅电极的制备和背面铝电极的制备。本发明通过DMSO掺杂对PEDOT:PSS层的制备，改善了硅纳米线/PEDOT:PSS有机无机杂化太阳电池成膜后的形态，使内部漏电流增加，从而导致内部电阻的减小，进而提高硅太阳能电池光电转化效率。

公开(公告)号：CN109119513A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810857372.4

申请日：2018-07-31

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 张化宇 ,  刘益林 ,  汪桂根 ,  吴博文 ,  安小帅 ,  张岙

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0745 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开一种硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池及其制备方法，其制备方法包括清洗n型单面抛光硅片、刻蚀硅纳米线阵列、沉积氢化非晶硅薄膜、溅射AZO薄膜、蒸镀铝背电极、涂抹银前电极，从而获得基本结构：AZO/p-a-Si/i-a-Si/n-c-Si/Al的硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池。本发明提出了这种采用等离子体化学气相沉积技术，处理过程简单方便，低温耗能低，并且使用了磁控溅射设备掺杂，提高传导和收集光生载流子，进一步制备了硅纳米线阵列电池器件。