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公开(公告)号：CN109616331B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811344861.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料及其制备方法。所述的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，是以MnCo2O4.5纳米花为核，在其表面上均匀地生长氢氧化镍纳米片，从而制备出具有很高的比容量、充放电稳定性，无需粘结剂和导电剂的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，可用于超级电容器领域，制备工艺简单，操作方便，可重复性高。
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公开(公告)号：CN109616331A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811344861.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料及其制备方法。所述的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，是以MnCo2O4.5纳米花为核，在其表面上均匀地生长氢氧化镍纳米片，从而制备出具有很高的比容量、充放电稳定性，无需粘结剂和导电剂的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，可用于超级电容器领域，制备工艺简单，操作方便，可重复性高。
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公开(公告)号：CN109119513A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810857372.4
申请日：2018-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/20 , H01L31/0745 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开一种硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池及其制备方法，其制备方法包括清洗n型单面抛光硅片、刻蚀硅纳米线阵列、沉积氢化非晶硅薄膜、溅射AZO薄膜、蒸镀铝背电极、涂抹银前电极，从而获得基本结构：AZO/p-a-Si/i-a-Si/n-c-Si/Al的硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池。本发明提出了这种采用等离子体化学气相沉积技术，处理过程简单方便，低温耗能低，并且使用了磁控溅射设备掺杂，提高传导和收集光生载流子，进一步制备了硅纳米线阵列电池器件。
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公开(公告)号：CN109119539A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810857198.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开一种硅纳米线/PEDOT:PSS-DMSO有机无机杂化太阳电池及其制备方法，该制备方法包括单面抛光硅片的清洗、银纳米颗粒的沉积、刻蚀、DMSO掺杂对PEDOT:PSS层的制备、正面银栅电极的制备和背面铝电极的制备。本发明通过DMSO掺杂对PEDOT:PSS层的制备，改善了硅纳米线/PEDOT:PSS有机无机杂化太阳电池成膜后的形态，使内部漏电流增加，从而导致内部电阻的减小，进而提高硅太阳能电池光电转化效率。
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