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公开(公告)号：CN108373331B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810151244.8
申请日：2018-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海双格新材料科技有限公司
IPC: C04B35/547 , C04B35/565 , C04B35/80 , C04B35/622 , B28B1/20 , F16C33/32
Abstract: 一种MoS2/SiC/Cf复合陶瓷材料及其制成的滚动体，涉及陶瓷材料领域，将MoS2、松香、硅烷偶联剂按比例匀混合，制成MoS2壳核结构粉体；再将SiC粉体、松香、硅烷偶联剂和上述均MoS2壳核结构粉体匀混合，制成MoS2/SiC壳核结构复合粉体。再将MoS2/SiC壳核结构复合粉体分散于甲基硅油中，形成分散液，并置于模具中，离心成型MoS2/SiC/Cf球形素坯，最后真空烧结制备出高韧性、自润滑的MoS2/SiC/Cf复合陶瓷滚动体。该滚动体可用于陶瓷轴承和滑块。本发明制成的复合陶瓷材料性能优异，且带自润滑功能。
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公开(公告)号：CN108312053B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201810151245.2
申请日：2018-02-14
Applicant: 威海双格新材料科技有限公司
IPC: B24B37/025 , B24B37/34
Abstract: 一种气流内循环陶瓷滚珠高精度智能研磨装置,涉及陶瓷滚珠研磨装置，包括至少一个文丘里空气加速管、一个直线研磨管，文丘里空气加速管和直线研磨管经管路连接为陶瓷滚珠可在其内循环滚动的环形研磨流道，收缩段气体流入端上设有将高压缓冲腔与收缩段内部连通的、向喉道段倾斜的进气导向狭缝;高压缓冲腔上设有压缩空气接口，管路上设有装卸料口，装卸料口上设有装卸料阀门，管路上设有排气孔，直线研磨管内壁上设有旋转导向螺纹。本发明具有研磨效率高、研磨精度高且稳定，维护成本等优点。
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公开(公告)号：CN108373331A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810151244.8
申请日：2018-02-14
Applicant: 威海双格新材料科技有限公司
IPC: C04B35/547 , C04B35/565 , C04B35/80 , C04B35/622 , B28B1/20 , F16C33/32
Abstract: 一种MoS2/SiC/Cf复合陶瓷材料及其制成的滚动体，涉及陶瓷材料领域，将MoS2、松香、硅烷偶联剂按比例匀混合，制成MoS2壳核结构粉体；再将SiC粉体、松香、硅烷偶联剂和上述均MoS2壳核结构粉体匀混合，制成MoS2/SiC壳核结构复合粉体。再将MoS2/SiC壳核结构复合粉体分散于甲基硅油中，形成分散液，并置于模具中，离心成型MoS2/SiC/Cf球形素坯，最后真空烧结制备出高韧性、自润滑的MoS2/SiC/Cf复合陶瓷滚动体。该滚动体可用于陶瓷轴承和滑块。本发明制成的复合陶瓷材料性能优异，且带自润滑功能。
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公开(公告)号：CN108312053A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810151245.2
申请日：2018-02-14
Applicant: 威海双格新材料科技有限公司
IPC: B24B37/025 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/025 , B24B37/34
Abstract: 一种气流内循环陶瓷滚珠高精度智能研磨装置,涉及陶瓷滚珠研磨装置，包括至少一个文丘里空气加速管、一个直线研磨管，文丘里空气加速管和直线研磨管经管路连接为陶瓷滚珠可在其内循环滚动的环形研磨流道，收缩段气体流入端上设有将高压缓冲腔与收缩段内部连通的、向喉道段倾斜的进气导向狭缝;高压缓冲腔上设有压缩空气接口，管路上设有装卸料口，装卸料口上设有装卸料阀门，管路上设有排气孔，直线研磨管内壁上设有旋转导向螺纹。本发明具有研磨效率高、研磨精度高且稳定，维护成本等优点。
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公开(公告)号：CN119694667A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411899643.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了还原氧化石墨烯封装金属网格透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、金属网格制备；S2、封装材料制备：将氧化石墨烯水性分散液与异丙醇掺杂，得到封装材料；S3、旋转涂覆封装层：在所述金属网格上旋转涂覆所述封装材料，得到氧化石墨烯涂覆层，即封装层；S4、大气等离子体还原处理：设置大气等离子体处理机参数，通过大气等离子体处理机喷口对封装层进行扫描还原处理；S5、得到还原氧化石墨烯封装层，即复合型透明导电薄膜。与现有技术相比，通过本发明的方法制备的透明导电薄膜(即还原氧化石墨烯封装层)，能够增强封装层导电率，提高薄膜整体的光电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115446136B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211244218.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及高强钨合金极细丝拉拔装置，包括牵引结构和拉拔结构，所述牵引结构包括内绕组活塞、外电磁线圈、直线导轨和夹具；所述拉拔结构包括夹爪、电磁阀和眼模；所述内绕组活塞、外电磁线圈均套在直线导轨上，且外电磁线圈套设于内绕组活塞外部，且所述外电磁线圈通过夹具固定在直线导轨上，所述内绕组活塞内设有内电磁线圈；眼模设于直线导轨一侧，夹爪固定安装于内绕组活塞上，而夹爪与电磁阀连接，钨丝穿过眼模模具后通过夹爪固定夹紧，通过电磁阀控制夹爪的开合，本发明的目的在于提供高强钨合金极细丝拉拔装置，针对在线加热塔轮式的滑差拉拔的现有技术，解决塔轮式滑差拉拔存在塔轮与金属细丝之间的滑动摩擦带来的缺陷。
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公开(公告)号：CN112723356B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011636728.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 山东兰海新材料科技有限公司
IPC: C01B32/984 , C01B33/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明一种层级结构SiOC透波材料、制备方法及其应用中，层级结构SiOC透波材料，包括多层的SiOC纳米线，由芯层向外层该SiOC纳米线包括有SiC层、SiO2层以及Si‑O‑C层，其中Si‑O‑C层为非晶的。本方案通过均匀生长具有梯度组成的具有优异透波性能的SiOC纳米线。所提出的制备SiOC纳米线的方法简单、适于大规模的生产，具有应用于雷达罩新型透波涂层的潜力。
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公开(公告)号：CN112176719B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011073021.8
申请日：2020-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: D06M11/77 , D06M11/38 , D06M11/64 , D06M101/40
Abstract: 本发明C/SiC壳核结构复合纤维制备方法，包括如下步骤：步骤A、原料准备：对碳纤维原料预处理，获得分散性良好、表面活性基团增加的碳纤维Ⅰ；混合熔盐原料获得混合物熔盐；由硅溶胶、炭黑和硅烷偶联剂经混合、干燥、破碎获得干凝胶和炭黑的混合粉体；步骤B、成型：将混合物熔盐与混合粉体混合获得包埋料，将碳纤维Ⅰ处于包埋料包埋下进行烧结、冷却、分离后获得C/SiC壳核结构复合纤维。本发明的制备方法采用熔盐熔解析出法，在较低温度下制备出表面SiC纳米结构壳层的C/SiC复合纤维，具有良好的壳核结构，具有良好的拉伸强度、弹性模量和吸波性能。
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公开(公告)号：CN109264678B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201811240967.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明提出一种AlN纳米线的制备方法，包括步骤1、混料：将Ti粉、Al粉和C粉进行混合；步骤2、研磨：在球磨罐中加入研磨球，将步骤1所得原料放入球磨罐中，在球磨罐中倒入酒精直至将原料完全盖住，把球磨罐放入球磨机中固定，湿磨8h~12h；步骤3、烘干：将研磨后的物质在水浴环境下进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤4、过筛：将烘干后的物质进行过筛，以将研磨球与原料进行分离；步骤5、烧结与取料：将步骤4所得的原料在氮气环境下进行烧结，烧结温度达到1300℃或以上时，保持该温度0.5h~4h，通过气相沉积法制备AlN纳米线，当温度下降后，即可取出烧结产物，即AlN纳米线。通过上述制备方法制备的纳米线为AlN单晶，其直径范围在100‑200 nm，长度范围以5‑10μm居多。
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公开(公告)号：CN109179420B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201811240955.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01B32/991 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出一种B4C纳米带的制备方法，包括步骤1、混料：将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中，得到混合物；步骤2、干燥：将步骤1所得的混合物进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤3、研磨：将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末；步骤4、烧结与取料：将前驱体粉末在保护气体环境下进行烧结，烧结温度达到1400℃时，在保护气体环境下保持该温度0.5h~1.5h，通过气相沉积法制备B4C纳米带，之后当温度下降后，即得到B4C纳米带。通过上述制备方法制得的纳米带为具有均匀宽度和厚度的单晶B4C纳米带，上述制备方法能够在简化工艺流程、缩短制备时间的前提下，使B4C纳米带仍保持较高的纯度和转化率，使生产成本显著降低，具有较为广阔的应用前景。
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