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公开(公告)号:CN119694667A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411899643.4
申请日:2024-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了还原氧化石墨烯封装金属网格透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、金属网格制备;S2、封装材料制备:将氧化石墨烯水性分散液与异丙醇掺杂,得到封装材料;S3、旋转涂覆封装层:在所述金属网格上旋转涂覆所述封装材料,得到氧化石墨烯涂覆层,即封装层;S4、大气等离子体还原处理:设置大气等离子体处理机参数,通过大气等离子体处理机喷口对封装层进行扫描还原处理;S5、得到还原氧化石墨烯封装层,即复合型透明导电薄膜。与现有技术相比,通过本发明的方法制备的透明导电薄膜(即还原氧化石墨烯封装层),能够增强封装层导电率,提高薄膜整体的光电性能。
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公开(公告)号:CN119694663A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411856994.7
申请日:2024-12-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种PEDOT:PSS复合铜网格柔性透明导电薄膜的制备方法,包括下述步骤:S1、PET衬底清洗;S2、PEDOT:PSS溶液调节;S3、旋涂PEDOT:PSS;S4、退火:取出旋涂后的PEDOT:PSS种子层,置于真空干燥箱内进行退火,得到PEDOT:PSS薄膜;S5、靶材的预溅射;S6、在PEDOT:PSS/PET衬底上溅射Cu膜;S7、铜网格复合导电薄膜的制备。本发明采用PEDOT:PSS/PET代替PET作为衬底,让PEDOT:PSS作为种子层,不仅可以为Cu层生长提供良好的润湿效果,另外一方面可以借助PEDOT:PSS自身的导电性能,使Cu层与PEDOT:PSS层复合发挥出更优异的光电性能,整套流程简单,无需复杂操作,激光直写速度较快,图案灵活性高,可随意调节图案参数,而不受掩膜的限制,制备成本较低。
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公开(公告)号:CN118899124A
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202411218230.5
申请日:2024-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种银网格透明导电薄膜的制备方法,包括下述步骤;S1、粗化处理:将离型PET浸泡在粗化液中,粗化处理后,使用去离子水进行冲洗;S2、敏化处理:将粗化处理后的离型PET转移至敏化液中浸泡,敏化结束后,使用去离子水冲洗镀银面,并采用空压机对镀银面进行吹干。S3、化学镀银:将S2步骤完成的敏化后的PET,进行剥离PET后,开始制作镀银液,并混合均匀后,倒入盛有PET的塑料容器,待PET表面变黑后静止,开始加热;S4、干燥处理;S5、激光直写。本发明采用化学镀银结合激光直写技术制备金属网格,化学镀银,成本较低,可实现大批量生产,且激光直写技术具有速度快,工艺简便的优势,无需掩模版,计算机图案绘制,可灵活设计金属网格图案。
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