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公开(公告)号：CN104945002A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510312802.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种陶瓷/树脂复合材料制备多层器件的方法，它涉及制备多层器件的方法。它要解决现有LTCC技术所存在烧结温度高、收缩率难以控制、金属电极易于与陶瓷发生界面反应以及脆性高的问题。方法：一、制备悬浊液；二、制备浆料；三、浆料除泡后进行流延成型，得陶瓷生带；四、陶瓷生带进行裁剪，采用丝网印刷的方法印制导电银浆作为电路，叠压，排胶后，得微波介质陶瓷的多孔预制体；五、树脂浸渍到多孔预制体内部，固化，脱模后，即完成。本发明的工艺温度低，在制备过程中材料没有任何收缩，避免了LTCC共烧过程中电路中的导电电极与陶瓷之间的界面反应和扩散，制备的多层器件具有较高的介电常数和较低的介电损耗，且韧性高、加工性能优良。
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公开(公告)号：CN110483053B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910908720.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B35/80 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，更具体的说是一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，利用凝胶注模法制备陶瓷生坯的过程中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时原位反应生成SiC纳米线，所述的可溶性硅树脂为可溶于乙醇、异丙醇和叔丁醇等醇类溶剂，所述的催化剂为二茂铁、FeCl3、Fe(NO3)3和Ni(NO3)2等金属盐类；可以在凝胶注模工艺中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时直接原位反应生成SiC纳米线；有机硅树脂在裂解后生成碳和SiO2，在后续烧结过程中可原位生成SiC纳米线，进而提高多孔SiC的力学性能和吸波性能；凝胶注模成型后形成的高体积分数的连通孔隙也促进了SiC纳米线的V‑L‑S生长。
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公开(公告)号：CN108752008A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810611330.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供一种多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷及其制备方法，通过在有机溶剂中加入陶瓷粉体、烧结助剂、分散剂、单体和交联剂，球磨混合得到浆料，除泡后，加入引发剂和催化剂，并经溶剂置换后，得到多孔Si2N2O坯体，最终经气压烧结，得到多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明使用了乙二醇为溶剂制备多孔Si2N2O陶瓷，乙二醇的低表面张力保证了凝胶较小的干燥收缩，从而可获得高气孔率的Si2N2O陶瓷；且凝胶在乙二醇中的聚合为溶液聚合，保证了坯体的高强度，可实现大尺寸工件的近净成型；因此，本发明制备的多孔Si2N2O陶瓷材料具有优良的抗热震性能、抗氧化性和透波性能，是一种具有优良力、热、电综合性能的耐高温透波材料。
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公开(公告)号：CN108752008B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201810611330.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供一种多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷及其制备方法，通过在有机溶剂中加入陶瓷粉体、烧结助剂、分散剂、单体和交联剂，球磨混合得到浆料，除泡后，加入引发剂和催化剂，并经溶剂置换后，得到多孔Si2N2O坯体，最终经气压烧结，得到多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明使用了乙二醇为溶剂制备多孔Si2N2O陶瓷，乙二醇的低表面张力保证了凝胶较小的干燥收缩，从而可获得高气孔率的Si2N2O陶瓷；且凝胶在乙二醇中的聚合为溶液聚合，保证了坯体的高强度，可实现大尺寸工件的近净成型；因此，本发明制备的多孔Si2N2O陶瓷材料具有优良的抗热震性能、抗氧化性和透波性能，是一种具有优良力、热、电综合性能的耐高温透波材料。
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公开(公告)号：CN104945002B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510312802.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种陶瓷/树脂复合材料制备多层器件的方法，它涉及制备多层器件的方法。它要解决现有LTCC技术所存在烧结温度高、收缩率难以控制、金属电极易于与陶瓷发生界面反应以及脆性高的问题。方法：一、制备悬浊液；二、制备浆料；三、浆料除泡后进行流延成型，得陶瓷生带；四、陶瓷生带进行裁剪，采用丝网印刷的方法印制导电银浆作为电路，叠压，排胶后，得微波介质陶瓷的多孔预制体；五、树脂浸渍到多孔预制体内部，固化，脱模后，即完成。本发明的工艺温度低，在制备过程中材料没有任何收缩，避免了LTCC共烧过程中电路中的导电电极与陶瓷之间的界面反应和扩散，制备的多层器件具有较高的介电常数和较低的介电损耗，且韧性高、加工性能优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435241A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610726196.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，涉及一种陶瓷增强金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前的陶瓷增强金属基复合材料热膨胀系数高以及增强体易发生团聚且较难分散均匀的技术问题。本发明：一、制备浆料；二、制备多孔Si3N4/SiC复相陶瓷；三、多孔复相陶瓷的表面改性；四、制备复合材料。本发明的多孔复相陶瓷的孔径较小，限制了复合材料中金属晶粒的长大，“细晶强化”有效提高了复合材料的综合力学性能；本发明的多孔复相陶瓷中Si3N4纳米线均匀分布；本发明的金属基复合材料中陶瓷增强体呈连续分布，使金属基复合材料有低的热膨胀系数，较高的金属含量使复合材料具有较高的热导率。
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公开(公告)号：CN110483091B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910908744.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00 , C04B38/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，而非基于连接层单独生长，因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩，有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。
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公开(公告)号：CN110483091A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910908744.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00 , C04B38/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，而非基于连接层单独生长，因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩，有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。
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公开(公告)号：CN110483053A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910908720.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B35/80 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，更具体的说是一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，利用凝胶注模法制备陶瓷生坯的过程中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时原位反应生成SiC纳米线，所述的可溶性硅树脂为可溶于乙醇、异丙醇和叔丁醇等醇类溶剂，所述的催化剂为二茂铁、FeCl3、Fe(NO3)3和Ni(NO3)2等金属盐类；可以在凝胶注模工艺中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时直接原位反应生成SiC纳米线；有机硅树脂在裂解后生成碳和SiO2，在后续烧结过程中可原位生成SiC纳米线，进而提高多孔SiC的力学性能和吸波性能；凝胶注模成型后形成的高体积分数的连通孔隙也促进了SiC纳米线的V-L-S生长。
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公开(公告)号：CN106435241B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610726196.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，涉及一种陶瓷增强金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前的陶瓷增强金属基复合材料热膨胀系数高以及增强体易发生团聚且较难分散均匀的技术问题。本发明：一、制备浆料；二、制备多孔Si3N4/SiC复相陶瓷；三、多孔复相陶瓷的表面改性；四、制备复合材料。本发明的多孔复相陶瓷的孔径较小，限制了复合材料中金属晶粒的长大，“细晶强化”有效提高了复合材料的综合力学性能；本发明的多孔复相陶瓷中Si3N4纳米线均匀分布；本发明的金属基复合材料中陶瓷增强体呈连续分布，使金属基复合材料有低的热膨胀系数，较高的金属含量使复合材料具有较高的热导率。
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