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公开(公告)号：CN115595653B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202211339729.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种一硼化钛晶须及其制备方法，所述一硼化钛晶须的制备方法包括：将氧化硼粉体或硼酸粉体置于坩埚底部；将氢化钛粉体或钛粉体置于所述坩埚内具有微孔的隔离片上，且所述氢化钛粉体或所述钛粉不与所述氧化硼粉体或硼酸粉体直接接触；将所述坩埚置于惰性气氛下，进行高温烧结，生成一硼化钛晶须。本发明提供的一硼化钛晶须的制备方法采用的原料廉价易得、制备工艺简单、对设备要求较低、操作方便、生长周期较短，适用于大规模工业生产，且制得的一硼化钛晶须的尺寸和形貌可控性好、长径比高、生产成本较低，能够作为晶须增强体用于金属、陶瓷和高分子等领域，也可用于超硬陶瓷、耐磨材料和电极材料等领域。
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公开(公告)号：CN115140714A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210636071.5
申请日：2022-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明提供了一种Si3N4气凝胶及其制备方法，涉及气凝胶材料技术领域，所述Si3N4气凝胶的制备方法包括：将含有全氢聚硅氮烷的正丁醚溶液在惰性气氛下置于高压反应釜中，并对所述高压反应釜恒温热处理，得到前驱体湿凝胶；待所述高压反应釜的温度降至室温后，在所述惰性气氛的保护下打开所述高压反应釜，并将所述前驱体湿凝胶进行干燥，得到前驱体干凝胶；将所述前驱体干凝胶进行裂解，得到Si3N4气凝胶。与现有技术比较，本发明的Si3N4气凝胶具有制备工艺简单，气孔率高，孔道均匀，比表面积高，隔热性能优异，高温抗氧化性能优异等优点，且可应用于天线罩材料。
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公开(公告)号：CN115041684A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210499099.9
申请日：2022-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种连续梯度刀具材料及其制备方法，所述方法包括：将钛合金与陶瓷增强体按照不同配比混合分别制备多组混合粉体；将多组所述混合粉体分别与溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂混合制得多组流延浆料，采用流延成型工艺制备多组生带；将所述生带叠层设置并模压成型，制得生坯，其中，所述生带按照由中间至两侧陶瓷增强体含量逐渐增加的方式叠层设置；将所述生坯进行热压烧结，制得连续梯度刀具材料。本发明通过流延成型以及热压烧结制备出一种简单高效、适合大规模生产的具有表硬芯韧结构的连续梯度刀具材料，提高刀具使用寿命和拓宽使用领域。
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公开(公告)号：CN114883638A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210467374.9
申请日：2022-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/056 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供了一种高离子电导性复合固态电解质、制备方法及应用，涉及固态电解质材料技术领域，所述制备方法包括以下步骤：步骤S1：将陶瓷电解质材料加入到去离子水中，再依次加入分散剂和粘结剂并搅拌，得到陶瓷电解质浆料；步骤S2：将陶瓷电解质浆料通过流延成型法制成陶瓷电解质薄膜，并冷冻成型，经冷冻干燥和高温烧结后，得到具有连续定向孔结构的陶瓷固体电解质膜；步骤S3：将陶瓷固体电解质膜浸入到有机聚合物溶液中，经真空处理后，得到高离子电导性复合固态电解质。本发明优化了复合固态电解质的接触面积，降低了界面电阻，缩短了离子的传输路径，提高了固态电解质的离子电导率。
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公开(公告)号：CN108395257B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810478171.3
申请日：2018-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料及其制备方法，具体的，氮化硅粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体；将纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合，干燥过筛后烧结，得到致密的氮化硅基复合材料；将所获得致密氮化硅基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理，得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化硅基复合材料，满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108789770B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201810592623.0
申请日：2018-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B28B1/00 , B28B11/24 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/634 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y40/20
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料天线窗及其制备方法，根据天线窗的介电常数随厚度的变化规律的要求，确定孔隙率随厚度的变化规律，进而确定制备氮化硅基复合材料的陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律；在3D打印过程中，根据陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律，控制含有陶瓷相的第一浆料和水溶胶的加入质量，逐层打印，获得陶瓷浆料凝胶块，经低温冷冻，真空冷冻干燥，烧结降温后即可获得具有介电梯度的氮化硅基复合材料，经加工制备成氮化硅基复合材料天线窗。本发明所述的氮化硅基复合材料天线窗一体化制备，消除界面应力，在使用中安全可靠，工艺简单，能够满足不同宽频透波的要求。
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公开(公告)号：CN108752008B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201810611330.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供一种多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷及其制备方法，通过在有机溶剂中加入陶瓷粉体、烧结助剂、分散剂、单体和交联剂，球磨混合得到浆料，除泡后，加入引发剂和催化剂，并经溶剂置换后，得到多孔Si2N2O坯体，最终经气压烧结，得到多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明使用了乙二醇为溶剂制备多孔Si2N2O陶瓷，乙二醇的低表面张力保证了凝胶较小的干燥收缩，从而可获得高气孔率的Si2N2O陶瓷；且凝胶在乙二醇中的聚合为溶液聚合，保证了坯体的高强度，可实现大尺寸工件的近净成型；因此，本发明制备的多孔Si2N2O陶瓷材料具有优良的抗热震性能、抗氧化性和透波性能，是一种具有优良力、热、电综合性能的耐高温透波材料。
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公开(公告)号：CN108516814B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810611586.3
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/185 , C04B35/81 , C04B35/84
Abstract: 本发明提供一种低温制备高强度莫来石陶瓷的方法，以高岭土、铝溶胶和氧化铝为原料，在矿化剂和助烧剂的作用下，首先在低温下合成含有针状晶须的莫来石多孔陶瓷，利用材料内部的孔洞为晶须的生长提供空间使其充分发育，再通过浸渍反应活性较高的莫来石前驱体，最终通过二次低温烧结获得，本发明的有益效果在于，原料价格低廉，来源广泛易得，成本较低；制备温度较低，大幅度降低了生产能耗；工艺简单，设备要求低；原位自生的晶须实现了材料强度和韧性的同时提高；烧结过程中，产品收缩小，可实现净尺寸成型。
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公开(公告)号：CN108912520A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810612006.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08K9/04 , C08K3/22 , C08K3/38 , C08K7/00 , C08K9/06 , C08K2003/385 , C08L25/06 , C08L27/16 , C08L33/12
Abstract: 一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料及其制备方法，方法在于将陶瓷粉末进行表面氨基化，再将树脂微球进行表面磺化，将表面磺化的聚合物微球与去离子水混合后，加入氨基化的陶瓷粉末搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，保温、清洗后烘干，得到复合粉体，置于模具，热压成型，获得陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料，与现有技术比较，本发明将片状陶瓷粉体包覆在聚合物微球表面，形成具有核壳结构的聚合物微球/陶瓷片晶复合粉体，通过成型过程中聚合物微球的熔化变形对片状复合粉体产生扭转力，实现复合材料中片状陶瓷粉体的取向分布，大幅度提高复合材料的介电常数，进而提高其介电储能密度，为小型化介电储能器件的发展提供材料和技术支撑。
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公开(公告)号：CN105459564B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510822753.5
申请日：2015-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B37/06 , B32B37/10 , B32B9/04 , B32B9/00 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/565 , C04B35/584
Abstract: 界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明的目的是为了解决单一的氮化硅陶瓷和碳化硅陶瓷材料的脆性较大，易断裂的技术问题。本方法如下：一、陶瓷浆料的制备；二、制备Si3N4生带、SiC生带以及烧结助剂生带；三、制备Si3N4/SiC片层复合材料生坯；四、制备界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料。其中，界面处大量存在的烧结助剂有利于氮化硅棒晶生长，大尺寸的氮化硅棒晶将氮化硅层与碳化硅层连接起来，产生界面自韧化的效果。材料的弯曲强度大于700MPa，收缩率﹤15％，同时，其韧性可到16MPa·m1/2以上，完全可以满足高韧性陶瓷材料的使用要求。本材料的断裂功﹥6KJ/m2，材料的断裂预警明确，具有高的安全系数。本发明属于陶瓷材料的制备领域。
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