公开(公告)号：CN109582224A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811340564.4

申请日：2018-11-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 魏德宝 ,  乔立岩 ,  郝梦琪 ,  冯骅 ,  彭喜元

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明公开了提出了一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法，该方法不仅考虑数据块的P/E次数，当数据块P/E次数相等时，优先选择上次写入时间最早的数据块，以此可延长数据的驻留时间。本发明目的在于通过存储数据块所经历的P/E次数并存储该块上次写入数据的时间，来研究磨损程度不同的块在不同程度的自恢复效应时数据驻留错误的变化规律，从而提高NAND Flash的可靠性。

公开(公告)号：CN107817954B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201711175059.4

申请日：2017-11-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 魏德宝 ,  乔立岩 ,  李绪金 ,  郝梦琪

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种NAND Flash存储可靠性评估方法，涉及固态存储领域。本发明是为了解决现在缺少一种测试NAND Flash芯片可靠性的方法的问题。选取新的NAND Flash芯片，建立该芯片的编程时间随擦除及编程次数变化的模型；选取与步骤一型号相同的测试芯片，从该芯片中选取需要测试的数据块，对该数据块进行擦除及编程操作，并记录各数据块的编程时间；将步骤二中得到的编程时间带入步骤一中的模型中，得到测试芯片的擦除及编程次数，将得出的擦除及编程次数与芯片手册中该芯片所允许的编程及擦除次数比较，如果测试芯片的擦除及编程数次数大于芯片所允许的擦除及编程次数，说明测试芯片存储数据的可靠性降低。用于测试芯片可靠性。

公开(公告)号：CN107817954A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711175059.4

申请日：2017-11-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 魏德宝 ,  乔立岩 ,  李绪金 ,  郝梦琪

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种NAND Flash存储可靠性评估方法，涉及固态存储领域。本发明是为了解决现在缺少一种测试NAND Flash芯片可靠性的方法的问题。选取新的NAND Flash芯片，建立该芯片的编程时间随擦除及编程次数变化的模型；选取与步骤一型号相同的测试芯片，从该芯片中选取需要测试的数据块，对该数据块进行擦除及编程操作，并记录各数据块的编程时间；将步骤二中得到的编程时间带入步骤一中的模型中，得到测试芯片的擦除及编程次数，将得出的擦除及编程次数与芯片手册中该芯片所允许的编程及擦除次数比较，如果测试芯片的擦除及编程数次数大于芯片所允许的擦除及编程次数，说明测试芯片存储数据的可靠性降低。用于测试芯片可靠性。