公开(公告)号：CN107817954A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711175059.4

申请日：2017-11-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 魏德宝 ,  乔立岩 ,  李绪金 ,  郝梦琪

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种NAND Flash存储可靠性评估方法，涉及固态存储领域。本发明是为了解决现在缺少一种测试NAND Flash芯片可靠性的方法的问题。选取新的NAND Flash芯片，建立该芯片的编程时间随擦除及编程次数变化的模型；选取与步骤一型号相同的测试芯片，从该芯片中选取需要测试的数据块，对该数据块进行擦除及编程操作，并记录各数据块的编程时间；将步骤二中得到的编程时间带入步骤一中的模型中，得到测试芯片的擦除及编程次数，将得出的擦除及编程次数与芯片手册中该芯片所允许的编程及擦除次数比较，如果测试芯片的擦除及编程数次数大于芯片所允许的擦除及编程次数，说明测试芯片存储数据的可靠性降低。用于测试芯片可靠性。

公开(公告)号：CN107817954B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201711175059.4

申请日：2017-11-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 魏德宝 ,  乔立岩 ,  李绪金 ,  郝梦琪

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种NAND Flash存储可靠性评估方法，涉及固态存储领域。本发明是为了解决现在缺少一种测试NAND Flash芯片可靠性的方法的问题。选取新的NAND Flash芯片，建立该芯片的编程时间随擦除及编程次数变化的模型；选取与步骤一型号相同的测试芯片，从该芯片中选取需要测试的数据块，对该数据块进行擦除及编程操作，并记录各数据块的编程时间；将步骤二中得到的编程时间带入步骤一中的模型中，得到测试芯片的擦除及编程次数，将得出的擦除及编程次数与芯片手册中该芯片所允许的编程及擦除次数比较，如果测试芯片的擦除及编程数次数大于芯片所允许的擦除及编程次数，说明测试芯片存储数据的可靠性降低。用于测试芯片可靠性。