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公开(公告)号：CN101724894B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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公开(公告)号：CN100424820C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610151072.1
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Si基生长混合同素异型结构VO2薄膜的工艺，它涉及一种生长VO2薄膜的工艺。它解决了目前工艺在Si基生长的VO2薄膜具有VO2(A)和/或VO2(R)，热电阻温度系数低，严重影响了室温红外探测器的探测灵敏度的问题。Si基生长VO2薄膜的方法：(一)清洗基底；(二)除杂质气体；(三)通Ar气、开射频溅射系统；(四)Si基表面溅射VO2薄膜；(五)真空退火烧结，即得到生长混合同素异型结构的Si基VO2薄膜。本发明制备的VO2薄膜只含有VO2(B)和VO2(M)两种同素异型结构。本发明生长的Si基混合同素异型结构VO2薄膜的表面粗糙度为6nm～15nm，VO2薄膜在25℃环境中TCR值高为-1.50%/K～-5.65%/K、电阻率为0.06Ω·cm～10.44Ω·cm，提高了Si基室温红外探测器的探测性能，尤其Si基室温红外探测器的探测灵敏度提高了5～10%。
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公开(公告)号：CN1598522A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410043789.5
申请日：2004-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域，应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤：取出应力区和芯区的样品，测量应力区样品B元素的含量，测量芯区样品Ge元素的含量；把光纤小段端面喷镀1μm～2μm厚的导电膜，利用电子探针设备做原子衬度的面扫描和Ge成分的线扫描，清理掉原子衬度的面扫描图像中的杂质疵点；把处理后的原子衬度面扫描图像输入MATLAB工程软件中，利用光纤的应力双折射计算公式和应力区掺杂浓度计算得出光纤的应力双折射数值。用本发明的保偏光纤的测量方法获得应力区和芯区的实际几何形状和精确掺杂浓度，为通过理想应力元几何形状的选择和合理掺杂浓度的选取进行新型保偏光纤的设计提供了手段。
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公开(公告)号：CN104518054B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410813122.2
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5?10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。本发明通过在较低温度下生长GaSb薄层，可有效限制外延层与衬底由于晶格失配产生的位错，减少高温下生长的GaSb缓冲层中的缺陷密度，提高外延层质量，具有广阔应用前景与技术优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103558663A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310555969.0
申请日：2013-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: S形光子晶体光纤锥传感器及其制备方法，涉及一种光子晶体光纤锥传感器及其制备方法。所述传感器由光纤经拉锥工艺制成，塌孔区域变形为S形，锥长L=250～350μm，腰径W=80～120μm，偏移距离△d=30～50μm。本发明中，使用EricssonFSU975光纤熔接机来进行电弧加热拉锥和光纤之间的熔接。本发明制造的S形扭曲提高了光子晶体光纤锥的环境折射率传感性能。在外形方面，本发明的S形光子晶体光纤锥传感器的锥长L更短和腰径W更粗。S形光子晶体光纤锥的锥腰直径与光纤直径很接近，锥长也较短，短粗的外形将大大延长传感头的使用寿命，提高它的耐用程度，而且更适用于微区的环境折射率探测。
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公开(公告)号：CN101037801A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol％，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN1963997A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151072.1
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Si基生长混合同素异型结构VO2薄膜的工艺，它涉及一种生长VO2薄膜的工艺。它解决了目前工艺在Si基生长的VO2薄膜具有VO2(A)和/或VO2(R)，热电阻温度系数低，严重影响了室温红外探测器的探测灵敏度的问题。Si基生长VO2薄膜的方法：(一)清洗基底；(二)除杂质气体；(三)通Ar气、开射频溅射系统；(四)Si基表面溅射VO2薄膜；(五)真空退火烧结，即得到生长混合同素异型结构的Si基VO2薄膜。本发明制备的VO2薄膜只含有VO2(B)和VO2(M)两种同素异型结构。本发明生长的Si基混合同素异型结构VO2薄膜的表面粗糙度为6nm～15nm，VO2薄膜在25℃环境中TCR值高为－1.50％/K～－5.65％/K、电阻率为0.06Ω·cm～10.44Ω·cm，提高了Si基室温红外探测器的探测性能，尤其Si基室温红外探测器的探测灵敏度提高了5～10％。
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公开(公告)号：CN101724894A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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公开(公告)号：CN100467678C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99%的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol%，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol%，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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