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公开(公告)号：CN102146587A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110066137.3
申请日：2011-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法，涉及掺杂的铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的Cu、Fe双掺铌酸锂晶体的响应时间长的技术问题。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体由Nb2O5、Li2CO3、ZrO2、Fe2O3和CuO制成；方法：将Fe2O3、CuO、ZrO2、Nb2O5和Li2CO3混合后，煅烧得到多晶，然后将多晶在单晶生长炉内采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩及等径生长，拉脱后退火生成晶体，然后经极化得到锆铁铜铌酸锂晶体。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体的写入时间为5s～35s，固定衍射效率在5.9％～38％。可用于全息存储领域。
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公开(公告)号：CN101327955A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810064785.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备的掺杂Fe的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、MgO和HfO2制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理，即得Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素Mg、Hf和Fe，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，缩短了响应时间。
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公开(公告)号：CN101876086A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010234894.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法，它涉及一种铁铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了铁铌酸锂晶体抗光致散射能力弱而造成的信噪比较低的问题。本方法如下：称取MgO、ZrO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3，然后混合，得到混合物；将混合物烘干后放入铂坩埚，然后在750℃煅烧3小时，再在1150℃烧结4小时，得到掺杂铌酸锂的多晶原料；将装有掺杂铌酸锂的多晶原料的铂坩埚放入中频炉内，然后在提拉速度为0.3～1.8mm/h、轴向温度梯度为40～50℃/cm、旋转速度为15～25r/min的条件下提拉，即得Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体。本发明Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的抗光致散射能力可达4.8×104W/cm2。
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公开(公告)号：CN100467678C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99%的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol%，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol%，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN100480436C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710071636.5
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:LiNbO3晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。它为了解决铌酸锂晶体抗光损伤能力低，而提供的一种Zr:LiNbO3晶体的制备方法。Zr:LiNbO3晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Nb2O5和LiCO3制成；其中ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4%～6%，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：(一)称取并混合ZrO2、Nb2O5和LiCO3；(二)提拉法进行晶体生长；(三)极化；(四)晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Zr:LiNbO3晶体。本发明Zr:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生；在保证了铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力比5mol%Mg:LiNbO3，6.5%Zn:LiNbO3和4mol%Hf:LiNbO3分别提高了85%、100%和112%以上。本发明Zr:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101892523A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010234895.7
申请日：2010-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法，它涉及一种三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了双掺Fe、Ru的铌酸锂晶体响应速度慢的问题。本方法如下：称取ZrO2、RuO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3，然后混合，得到混合物；将混合物烘干后放入铂坩埚，然后在750℃煅烧3小时，再在1150℃烧结4小时，再将铂坩埚放入中频炉内，然后在提拉速度为0.5～1.8mm/h、轴向温度梯度为40～50℃/cm、旋转速度为15～25r/min的条件下提拉，即得Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体。本发明制备的Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的响应时间能达到48秒，光折变灵敏度可以达到1.058cm/J。
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公开(公告)号：CN100494519C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol%、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt%、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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公开(公告)号：CN101024902A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol％、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt％、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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公开(公告)号：CN101024901A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710071636.5
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。它为了解决铌酸锂晶体抗光损伤能力低，而提供的一种Zr:LiNbO3晶体及其制备方法。Zr:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Nb2O5和LiCO3制成；其中ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4％～6％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：(一)称取并混合ZrO2、Nb2O5和LiCO3；(二)提拉法进行晶体生长；(三)极化；(四)晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Zr:LiNbO3晶体。本发明Zr:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生；在保证了铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力比5mol％Mg:LiNbO3，6.5％Zn:LiNbO3和4mol％Hf:LiNbO3分别提高了85％、100％和112％以上。本发明Zr:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN101037801A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol％，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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