-
公开(公告)号：CN110175195A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910329097.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F16/2458 , G06F17/16 , G06K9/62 , G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于极端随机树的混合气体检测模型构建方法，包括对混合气体进行数据采集，得到数据集，所述数据集包括至少三条气体信号时间序列，并计算气体信号时间序列的最优弯曲路径，利用最优弯曲路径进行筛选；利用主成分分析法对筛选后的气体信号时间序列提取气体特征；利用极端随机数算法建立模型，并对目标混合气体进行分类。本发明提出基于极端随机树的混合气体检测模型构建方法，较大程度上提高分类准确率和时间效率。
-
公开(公告)号：CN110175195B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910329097.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F16/2458 , G06F17/16 , G06K9/62 , G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于极端随机树的混合气体检测模型构建方法，包括对混合气体进行数据采集，得到数据集，所述数据集包括至少三条气体信号时间序列，并计算气体信号时间序列的最优弯曲路径，利用最优弯曲路径进行筛选；利用主成分分析法对筛选后的气体信号时间序列提取气体特征；利用极端随机数算法建立模型，并对目标混合气体进行分类。本发明提出基于极端随机树的混合气体检测模型构建方法，较大程度上提高分类准确率和时间效率。
-
公开(公告)号：CN102744652B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210250993.9
申请日：2012-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 大面积平面光学零件加工装置及加工方法，它涉及一种平面光学零件加工装置及方法。本发明为解决现有的等离子体抛光装置成本高以及抛光方法效率低的问题。两个外电极与两个隔离板两两相对形成封闭结构，内电极位于两个外电极，两个外电极、两个隔离板和内电极之间形成两个等离子体产生腔室，所述氦气瓶、四氟化碳瓶和氧气瓶通过流量控制器与两个第一通孔连通；方法：向电极加冷却水；对流量控制器预热；通过流量控制器调节氦气和四氟化碳的气体流量；将待加工工件放置在工作台面的电极之上，使待加工工件逆时针旋转；对射频电源逐步增加功率；控制稳定的等离子体放电；关闭射频电源和阀门，取出待加工工件。本发明用于大面积平面光学零件加工。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102730945B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210248655.1
申请日：2012-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03B20/00
Abstract: 大面积接触式等离子体放电加工熔石英加工装置，它涉及一种等离子体加工装置，以解决现有等离子体加工过程中的电极温度高，加工时间短，导致反应离子的活性相对较低，去除率低的问题。导风板的上端面与端部工件夹板的上端面在同一水平面内，成型电极设置在工件槽的上方，成型电极的下端面与工件槽的上端面设有两电极之间放电间距，上导流体与下导流体之间的腔体为导气腔，上导流体和下导流体的进气端端面上均设有进气孔，两个进气孔与气体混气箱连通，氦气气瓶、四氟化碳气瓶和氧气瓶分别通过氦气流量计、四氟化碳流量计和氧气流量计与气体混气箱连接，水泵与下冷却通道和上冷却通道连接，射频电源与高电极和底座板连接。本发明用于等离子体加工。
-
公开(公告)号：CN102730945A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210248655.1
申请日：2012-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03B20/00
Abstract: 大面积接触式等离子体放电加工熔石英加工装置，它涉及一种等离子体加工装置，以解决现有等离子体加工过程中的电极温度高，加工时间短，导致反应离子的活性相对较低，去除率低的问题。导风板的上端面与端部工件夹板的上端面在同一水平面内，成型电极设置在工件槽的上方，成型电极的下端面与工件槽的上端面设有两电极之间放电间距，上导流体与下导流体之间的腔体为导气腔，上导流体和下导流体的进气端端面上均设有进气孔，两个进气孔与气体混气箱连通，氦气气瓶、四氟化碳气瓶和氧气瓶分别通过氦气流量计、四氟化碳流量计和氧气流量计与气体混气箱连接，水泵与下冷却通道和上冷却通道连接，射频电源与高电极和底座板连接。本发明用于等离子体加工。
-
公开(公告)号：CN110162739B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910364888.X
申请日：2019-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种基于变遗忘因子的RFFKLMS算法的权值更新优化方法，通过动量项技术在步长更新的迭代公式中引入遗忘因子，并对遗忘因子进行优化，推导出基于变遗忘因子的RFFKLMS算法。遗忘因子决定系统对于过去时刻误差信号的依赖程度，而变遗忘因子则是在此基础上利用互相关误差信号，综合地提升系统的收敛能力和抗干扰能力。大量仿真分析结果表明，与变步长RFFKLMS算法相比该算方法在非平稳条件下具有较好的收敛速度并且在稳态时具有更好的精度。
-
公开(公告)号：CN110162739A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910364888.X
申请日：2019-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种基于变遗忘因子的RFFKLMS算法的权值更新优化方法，通过动量项技术在步长更新的迭代公式中引入遗忘因子，并对遗忘因子进行优化，推导出基于变遗忘因子的RFFKLMS算法。遗忘因子决定系统对于过去时刻误差信号的依赖程度，而变遗忘因子则是在此基础上利用互相关误差信号，综合地提升系统的收敛能力和抗干扰能力。大量仿真分析结果表明，与变步长RFFKLMS算法相比该算方法在非平稳条件下具有较好的收敛速度并且在稳态时具有更好的精度。
-
公开(公告)号：CN102744652A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210250993.9
申请日：2012-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 大面积平面光学零件加工装置及加工方法，它涉及一种平面光学零件加工装置及方法。本发明为解决现有的等离子体抛光装置成本高以及抛光方法效率低的问题。两个外电极与两个隔离板两两相对形成封闭结构，内电极位于两个外电极，两个外电极、两个隔离板和内电极之间形成两个等离子体产生腔室，所述氦气瓶、四氟化碳瓶和氧气瓶通过流量控制器与两个第一通孔连通；方法：向电极加冷却水；对流量控制器预热；通过流量控制器调节氦气和四氟化碳的气体流量；将待加工工件放置在工作台面的电极之上，使待加工工件逆时针旋转；对射频电源逐步增加功率；控制稳定的等离子体放电；关闭射频电源和阀门，取出待加工工件。本发明用于大面积平面光学零件加工。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
