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公开(公告)号:CN104876269A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201510253196.X
申请日:2015-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有单斜物相的铌酸钠钾铁电纳米结构的合成方法,本发明属于一种压电-铁电纳米材料,具体涉及一种纳米结构的合成方法。本发明是为了解决现有的压电材料在制备过程中氧化铅挥发使产品一致性差,成本高,而且铅的毒性大的技术问题,并成功制备了具有单斜物相的铌酸钠钾纳米结构。本方法如下:将乙酸钠与乙酸钾按加入乙二醇中,加入乙醇铌溶液,干燥,得干凝胶前驱体,将干凝胶前驱体加入到含有氢氧化钠和氢氧化钾的水溶液中,升温并保温,然后冷却到室温,取出铌酸钠钾粉末,离心洗涤数次至pH=7,然后干燥,即得。本发明采用溶胶凝胶法制备的铌酸钠钾溶胶,可以精确控制其中钠离子和钾离子与铌离子的比例;利用水热反应,低温晶化得到物相纯净的铌酸钠钾纳米结构。本发明属于纳米结构的制备领域。
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公开(公告)号:CN103588474A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201310572199.0
申请日:2013-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法,它涉及一种复相陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备包覆结构的磁电复相陶瓷存在被包覆相容易团聚、在包覆相中分布不均匀、包覆效果差及杂质多的问题。步骤:一、制备溶胶A;二、制备溶液B;三、制备溶胶C;四、制备溶胶D;五、滴加、搅拌;六、干燥;七:煅烧;八、研磨;九、烧结。优点:一、本发明被包覆相分布均匀,包覆效果好;二、本发明烧结温度低,杂质少,制备得到的包覆结构的磁电复相陶瓷的尺度均匀且为纳米级别;三、本发明易于操作,降低了30%~50%成本;四、本发明铁磁相的结晶温度远低于铁电相,铁磁相和铁电相分步析出。本发明可获得包覆结构的磁电复相陶瓷。
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公开(公告)号:CN101279767B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200810064395.6
申请日:2008-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 镧系稀土掺杂钛酸铋纳米管的制备方法,它涉及钛酸铋纳米管的制备方法。它解决了现有技术制备镧系稀土掺杂钛酸铋纳米结构材料的工艺复杂、设备复杂、制备周期长、成本高、产率低及不可精确控制纳米结构材料尺寸的问题。制备方法:一、称取铋盐、镧系稀土的硝酸盐和钛酸四丁酯;二、制备镧系稀土掺杂钛酸铋溶胶、三、将镧系稀土掺杂钛酸铋溶胶滴在氧化铝模板表面,浸润后烘干;四、重复步骤三,烘干后的模板在一定温度下保温;五、重复步骤三和四,将模板在一定温度下保温后取出,再放入KOH或NaOH溶液中浸泡,即得到镧系稀土掺杂钛酸铋纳米管。本发明工艺简单、设备简单、制备周期短、成本低、产率高及可以精确控制纳米管尺寸。
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公开(公告)号:CN101550027B
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN200910071933.9
申请日:2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/499 , C04B35/472
Abstract: 一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法,它涉及一种铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜铁电性能差、电光学性能差、纯度低、致密度低及在制备过程中烧结温度高的问题。方法:1.称取原材料;2.制溶液A;3.制溶液B;4.制溶液C;5.制(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)-xPbTiO3溶胶;6.将基片预处理;7.利用匀胶机将溶胶涂覆到基片上,然后烘干制薄膜D;8.将薄膜D在快速热处理炉中焙烧,然后冷却至室温即得到PMN-PT铁电薄膜。本方法制备出来的铁电薄膜具有优异的铁电性能及电光学性能,高纯度、高密度和较低的晶化温度,本发明工艺简单、设备简单、制备周期短及所用原材料价格低廉、市场上即可购得、成本低。
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公开(公告)号:CN101319393B
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200810064756.7
申请日:2008-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钽酸锶铋纳米线的制备方法,它涉及一种纳米线的制备方法。它解决了现有技术无法制备出钽酸锶铋纳米线的问题。制备方法:一、称取醋酸锶、次硝酸铋和乙醇钽,制备SBT前驱体溶胶;二、电泳沉积;三、煅烧处理;四、将带模板的纳米线放入NaOH溶液中浸泡,即得到钽酸锶铋纳米线。本发明是首次采用电泳沉积SBT凝胶的方法实现了钽酸锶铋纳米线的合成。本发明工艺简单、设备简单并可以精确控制纳米线的长度。
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公开(公告)号:CN101396645B
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200810137244.9
申请日:2008-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有铁核的硅纳米材料的制备方法,它涉及一种硅纳米材料的制备方法。它解决现有硅纳米材料的制备工艺复杂且合成困难的问题。制备方法:将水与乙醇混合然后再放入SiO粉末制备成悬浊液,并将悬浊液与经过处理的铁丝置于高压反应釜中,控制温度、搅拌速率和搅拌时间,得到直径在一百纳米左右到数十微米,长度可达数十甚至上百微米的含有铁核的硅纳米材料。此方法工艺简单、易合成,得到一维中心含铁硅纳米材料有极好的非线性光学效应和兼容性,可大规模的工业化生产。
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公开(公告)号:CN101550026A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200910071931.X
申请日:2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/499 , C04B35/472
Abstract: 制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法,它涉及一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有技术中制备铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构不可控和致密度低的问题。本发明的方法先将醋酸铅溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液A,再将乙酸镁和乙醇铌的混合物溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液B,再向溶液B中加入钛酸四丁酯得溶液C,最后把溶液A和C混合并加入稳定剂得到PMN-PT前躯体溶胶,然后利用匀胶机将前躯体溶胶涂覆到基片上,烘干后进行预烧,再放入快速热处理炉中焙烧,然后冷却至室温即得到织构可控的PMN-PT铁电薄膜。本发明得到的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构可控,致密度高。
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公开(公告)号:CN101538156A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200910071930.5
申请日:2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/624
Abstract: 缓冲层诱导织构铁电薄膜的制备方法,它涉及一种铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备得到的铁电薄膜性能差的问题。方法:一、制备LaNiO3缓冲层溶胶;二、经旋涂、保温、退火制得缓冲层薄膜;三、将铁电氧化物溶胶滴加到基片上,经旋涂、保温、退火制得铁电薄膜。本发明制备得到的铁电薄膜介电性和压电性能好,本发明的制作工艺简单,本发明制作得到的铁电薄膜与硅技术等集成器件兼容,应用前景好。
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公开(公告)号:CN101279767A
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200810064395.6
申请日:2008-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 镧系稀土掺杂钛酸铋纳米管的制备方法,它涉及钛酸铋纳米管的制备方法。它解决了现有技术制备镧系稀土掺杂钛酸铋纳米结构材料的工艺复杂、设备复杂、制备周期长、成本高、产率低及不可精确控制纳米结构材料尺寸的问题。制备方法:一、称取铋盐、镧系稀土的硝酸盐和钛酸四丁酯;二、制备镧系稀土掺杂钛酸铋溶胶、三、将镧系稀土掺杂钛酸铋溶胶滴在氧化铝模板表面,浸润后烘干;四、重复步骤三,烘干后的模板在一定温度下保温;五、重复步骤三和四,将模板在一定温度下保温后取出,再放入KOH或NaOH溶液中浸泡,即得到镧系稀土掺杂钛酸铋纳米管。本发明工艺简单、设备简单、制备周期短、成本低、产率高及可以精确控制纳米管尺寸。
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公开(公告)号:CN101186341A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200710144718.8
申请日:2007-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种(100)择优取向铁酸铋薄膜的制备方法,它涉及一种薄膜材料的制备工艺。它解决现有技术中制备BiFeO3薄膜工艺复杂、成本高、结晶温度高、薄膜致密度低、颗粒分布不均、表面粗糙和无择优取向性的问题。其方法步骤是分别将硝酸铁和次硝酸铋与醋酸混合,再分别加乙二醇溶液,将两溶液混合搅拌得BiFeO3溶胶,然后将BiFeO3溶胶旋涂到清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si基片上,干燥、焙烧,晶化热处理后得BiFeO3薄膜。本发明BiFeO3薄膜的制备成膜质量高、呈现(100)择优取向、铁电铁磁性能好、适用于工业化生产。
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