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公开(公告)号：CN101550027A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910071933.9
申请日：2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/499 , C04B35/472
Abstract: 一种铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜的制备方法，它涉及一种铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜铁电性能差、电光学性能差、纯度低、致密度低及在制备过程中烧结温度高的问题。方法：一、称取原材料；二、制溶液A；三、制溶液B；四、制溶液C；五、制(1－x)Pb(Mg1/3Nb2/3)－xPbTiO3溶胶；六、将基片预处理；七、利用匀胶机将溶胶涂覆到基片上，然后烘干制薄膜D；八、将薄膜D在快速热处理炉中焙烧，然后冷却至室温即得到PMN－PT铁电薄膜。本方法制备出来的铁电薄膜具有优异的铁电性能及电光学性能，高纯度、高密度和较低的晶化温度，本发明工艺简单、设备简单、制备周期短及所用原材料价格低廉、市场上即可购得、成本低。
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公开(公告)号：CN101550026B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910071931.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/499 , C04B35/472
Abstract: 制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法，它涉及一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有技术中制备铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构不可控和致密度低的问题。本发明的方法先将醋酸铅溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液A，再将乙酸镁和乙醇铌的混合物溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液B，再向溶液B中加入钛酸四丁酯得溶液C，最后把溶液A和C混合并加入稳定剂得到PMN-PT前躯体溶胶，然后利用匀胶机将前躯体溶胶涂覆到基片上，烘干后进行预烧，再放入快速热处理炉中焙烧，然后冷却至室温即得到织构可控的PMN-PT铁电薄膜。本发明得到的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构可控，致密度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101319393A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810064756.7
申请日：2008-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钽酸锶铋纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。它解决了现有技术无法制备出钽酸锶铋纳米线的问题。制备方法：一、称取醋酸锶、次硝酸铋和乙醇钽，制备SBT前驱体溶胶；二、电泳沉积；三、煅烧处理；四、将带模板的纳米线放入NaOH溶液中浸泡，即得到钽酸锶铋纳米线。本发明是首次采用电泳沉积SBT凝胶的方法实现了钽酸锶铋纳米线的合成。本发明工艺简单、设备简单并可以精确控制纳米线的长度。
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公开(公告)号：CN101550027B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910071933.9
申请日：2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/499 , C04B35/472
Abstract: 一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法，它涉及一种铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜铁电性能差、电光学性能差、纯度低、致密度低及在制备过程中烧结温度高的问题。方法：1.称取原材料；2.制溶液A；3.制溶液B；4.制溶液C；5.制(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)-xPbTiO3溶胶；6.将基片预处理；7.利用匀胶机将溶胶涂覆到基片上，然后烘干制薄膜D；8.将薄膜D在快速热处理炉中焙烧，然后冷却至室温即得到PMN-PT铁电薄膜。本方法制备出来的铁电薄膜具有优异的铁电性能及电光学性能，高纯度、高密度和较低的晶化温度，本发明工艺简单、设备简单、制备周期短及所用原材料价格低廉、市场上即可购得、成本低。
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公开(公告)号：CN101319393B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810064756.7
申请日：2008-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钽酸锶铋纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。它解决了现有技术无法制备出钽酸锶铋纳米线的问题。制备方法：一、称取醋酸锶、次硝酸铋和乙醇钽，制备SBT前驱体溶胶；二、电泳沉积；三、煅烧处理；四、将带模板的纳米线放入NaOH溶液中浸泡，即得到钽酸锶铋纳米线。本发明是首次采用电泳沉积SBT凝胶的方法实现了钽酸锶铋纳米线的合成。本发明工艺简单、设备简单并可以精确控制纳米线的长度。
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公开(公告)号：CN101550026A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910071931.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/499 , C04B35/472
Abstract: 制备织构可控的铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜的方法，它涉及一种铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有技术中制备铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜材料织构不可控和致密度低的问题。本发明的方法先将醋酸铅溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液A，再将乙酸镁和乙醇铌的混合物溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液B，再向溶液B中加入钛酸四丁酯得溶液C，最后把溶液A和C混合并加入稳定剂得到PMN－PT前躯体溶胶，然后利用匀胶机将前躯体溶胶涂覆到基片上，烘干后进行预烧，再放入快速热处理炉中焙烧，然后冷却至室温即得到织构可控的PMN－PT铁电薄膜。本发明得到的铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜材料织构可控，致密度高。
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公开(公告)号：CN101538156A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910071930.5
申请日：2009-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/624
Abstract: 缓冲层诱导织构铁电薄膜的制备方法，它涉及一种铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备得到的铁电薄膜性能差的问题。方法：一、制备LaNiO3缓冲层溶胶；二、经旋涂、保温、退火制得缓冲层薄膜；三、将铁电氧化物溶胶滴加到基片上，经旋涂、保温、退火制得铁电薄膜。本发明制备得到的铁电薄膜介电性和压电性能好，本发明的制作工艺简单，本发明制作得到的铁电薄膜与硅技术等集成器件兼容，应用前景好。
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