公开(公告)号：CN103588474A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310572199.0

申请日：2013-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  莫然 ,  王文 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法，它涉及一种复相陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备包覆结构的磁电复相陶瓷存在被包覆相容易团聚、在包覆相中分布不均匀、包覆效果差及杂质多的问题。步骤：一、制备溶胶A；二、制备溶液B；三、制备溶胶C；四、制备溶胶D；五、滴加、搅拌；六、干燥；七：煅烧；八、研磨；九、烧结。优点：一、本发明被包覆相分布均匀，包覆效果好；二、本发明烧结温度低，杂质少，制备得到的包覆结构的磁电复相陶瓷的尺度均匀且为纳米级别；三、本发明易于操作，降低了30%～50%成本；四、本发明铁磁相的结晶温度远低于铁电相，铁磁相和铁电相分步析出。本发明可获得包覆结构的磁电复相陶瓷。

公开(公告)号：CN103588474B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310572199.0

申请日：2013-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  莫然 ,  王文 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: H01F1/10 ,  C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法，它涉及一种复相陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备包覆结构的磁电复相陶瓷存在被包覆相容易团聚、在包覆相中分布不均匀、包覆效果差及杂质多的问题。步骤：一、制备溶胶A；二、制备溶液B；三、制备溶胶C；四、制备溶胶D；五、滴加、搅拌；六、干燥；七：煅烧；八、研磨；九、烧结。优点：一、本发明被包覆相分布均匀，包覆效果好；二、本发明烧结温度低，杂质少，制备得到的包覆结构的磁电复相陶瓷的尺度均匀且为纳米级别；三、本发明易于操作，降低了30%～50%成本；四、本发明铁磁相的结晶温度远低于铁电相，铁磁相和铁电相分步析出。本发明可获得包覆结构的磁电复相陶瓷。