针对SiC颗粒增强铝基复合材料的ICP、激光辅助铣削方法

    公开(公告)号:CN116551407A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310472581.8

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 针对SiC颗粒增强铝基复合材料的ICP、激光辅助铣削方法,属于硬脆材料技术领域。利用了等离子体化学反应对SiC颗粒增强铝基复合材料中的SiC颗粒进行化学改性,以及激光产生的高温改变铝基材料的切削特性,实现高效率,高质量加工方式。包括以下步骤:S2.设定ICP加工参数及激光功率,调节ICP等离子体发生装置以及激光输出装置安装位置与角度;S3.在牺牲工件上预热加工;S4.将铣削主轴移出加工区域到牺牲工件上。本发明采用的大气等离子体与激光辅助系统相对于激光或者电加热的辅助加工方式,可以提高加工精度,加工后的SiC颗粒增强铝基复合材料表面粗糙度RMS可达20nm。ICP等离子体反应具有材料选择性,方便精确控制SiC硬质颗粒的去除,适合辅助加工。

    一种抗倾覆载荷的大承载气浮主轴结构

    公开(公告)号:CN114909399A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210674742.7

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 一种抗倾覆载荷的大承载气浮主轴结构,属于超精密装备制造技术领域,具体方案如下:一种抗倾覆载荷的大承载气浮主轴结构,包括主轴、轴套Ⅰ、前辐板、后辐板和底座,轴套Ⅰ套设在主轴的外侧并固定在底座上,前辐板中部开设有通孔Ⅰ,后辐板中部开设有通孔Ⅱ,主轴的前、后两端分别套设在通孔Ⅰ和通孔Ⅱ中,通孔Ⅰ的侧壁上开设半圆环形的气道Ⅰ,通孔Ⅱ的侧壁上开设半圆环形的气道Ⅱ,气道Ⅰ和气道Ⅱ分别位于主轴中轴线的下方和上方,前辐板上开设有进气孔Ⅰ,后辐板上设置有进气孔Ⅱ,所述进气孔Ⅰ与进气孔Ⅱ分别与气道Ⅰ与气道Ⅱ连通。本发明提高了气浮主轴的整体承载能力、刚度、回转精度以及抗倾覆能力,加工出的零件精度更高。

    自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工方法

    公开(公告)号:CN103273180B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201310177053.6

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工方法,它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的步骤一:在工作架上安装有大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬;步骤二:将待加工光学零件装卡在地电极上;步骤三:使大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬靠近待加工表面;步骤四:预热;步骤五:启动射频电源;步骤六:使大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬进行多自由度运动;步骤七:取出待加工光学零件。本发明采用三种不同口径的等离子体炬对大口径复杂曲面光学零件进行大气等离子体加工。

    水电极大气等离子体加工回转零件方法

    公开(公告)号:CN103212755B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201310177034.3

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 水电极大气等离子体加工回转零件方法,它属于等离子体加工碳化硅或融石英等硅基材料回转类零件的技术领域。它是为了解决放电不均匀、工件热变形等问题。它的步骤一:旋转成形电极的上端面连接转轴上;旋转成形电极为圆形外凸形;步骤二:待加工零件的外表面浸入水槽中的电解质水溶液内;步骤三:旋转成形电极靠近待加工零件的待加工表面;步骤四:预热射频电源和混合等离子体气源;步骤五:使旋转成形电极做回转运动,启动射频电源;步骤六:控制旋转成形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间;步骤七:取出待加工零件。本发明的水电极的应用,使得电极与工件表面无间隙贴合,放电均匀,保证了加工精度,提高了加工稳定性。

    采用单个水射流作为电极的大气等离子体的加工方法

    公开(公告)号:CN103265183B

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201310177072.9

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 采用单个水射流作为电极的大气等离子体的加工方法,它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的局部修形加工效率和表面质量问题。它的步骤一:将成形电极的上端面连接在工作架上;步骤二:在待加工零件的下方设置的喷头喷出的水接地;步骤三:使成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面;步骤四:预热射频电源和混合等离子体气源;步骤五:使喷头喷出的水喷射到待加工光学零件的下端面上,启动射频电源;步骤六:使喷头进行左右移动和前后移动;步骤七:取出待加工光学零件。本发明能对光学零件表面进行小去除量的局部修形,水射流可以保证在每个位置的放电特性相同,避免放电不均匀的问题。

    采用单个水射流作为电极的大气等离子体的加工方法

    公开(公告)号:CN103265183A

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201310177072.9

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 采用单个水射流作为电极的大气等离子体的加工方法,它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的局部修形加工效率和表面质量问题。它的步骤一:将成形电极的上端面连接在工作架上;步骤二:在待加工零件的下方设置的喷头喷出的水接地;步骤三:使成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面;步骤四:预热射频电源和混合等离子体气源;步骤五:使喷头喷出的水喷射到待加工光学零件的下端面上,启动射频电源;步骤六:使喷头进行左右移动和前后移动;步骤七:取出待加工光学零件。本发明能对光学零件表面进行小去除量的局部修形,水射流可以保证在每个位置的放电特性相同,避免放电不均匀的问题。

    一体化等离子体发生装置

    公开(公告)号:CN103237405A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310177048.5

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 一体化等离子体发生装置,它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决常温大气等离子体加工过程中,匹配器与等离子体炬距离过大,导致其工作不稳定的问题。它的当匹配器与电容耦合等离子体射流炬模块组合连接时,电容耦合等离子体射流炬模块的第一连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接;当匹配器与电感耦合等离子体炬模块组合连接时,第二连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接;当匹配器与成形电极模块组合连接时,成形电极模块的第三连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接。本发明将匹配器和等离子体炬集成为一体,无需负载线连接,缩短了匹配器和负载之间的距离,可有效降低外界对装置的电磁干扰,同时使阻抗匹配效果更加稳定。

    一种针对铝基碳化硅的CCP、激光辅助铣削装置

    公开(公告)号:CN116394013A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310472582.2

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 一种针对铝基碳化硅的CCP、激光辅助铣削装置,硬脆材料技术领域。用于解决铝基碳化硅等硬脆零件的加工效率和质量问题,从而大大缩短加工周期,降低加工成本,以满足航天航空、电子、军事等领域的对该类零件需求。CCP等离子体发生装置和激光输出装置均安装在铣削主轴上,并确保等离子体反应环境与激光光斑位于待加工区域,在铣刀加工前将工件表面进行改性,射频电源与CCP等离子体发生装置进行连接,混合等离子体气源与CCP等离子体发生装置连接,激光源将激光传输到激光输出装置中。本发明采用CCP、激光辅助加工,改变被加工材料的表面性能,提高铣削效率与铣削质量,减少刀具损失,克服传统单一铣削方式中存在的加工周期长,表面质量差等缺点。

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