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公开(公告)号：CN116551407A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310472581.8
申请日：2023-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23P25/00
Abstract: 针对SiC颗粒增强铝基复合材料的ICP、激光辅助铣削方法，属于硬脆材料技术领域。利用了等离子体化学反应对SiC颗粒增强铝基复合材料中的SiC颗粒进行化学改性，以及激光产生的高温改变铝基材料的切削特性，实现高效率，高质量加工方式。包括以下步骤：S2.设定ICP加工参数及激光功率，调节ICP等离子体发生装置以及激光输出装置安装位置与角度；S3.在牺牲工件上预热加工；S4.将铣削主轴移出加工区域到牺牲工件上。本发明采用的大气等离子体与激光辅助系统相对于激光或者电加热的辅助加工方式，可以提高加工精度，加工后的SiC颗粒增强铝基复合材料表面粗糙度RMS可达20nm。ICP等离子体反应具有材料选择性，方便精确控制SiC硬质颗粒的去除，适合辅助加工。
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公开(公告)号：CN116587010A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310472580.3
申请日：2023-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23P25/00
Abstract: 针对SiC颗粒增强铝基复合材料的ICP、激光辅助铣削装置，属于硬脆颗粒增强复合材料技术领域。利用了等离子体化学反应对SiC颗粒增强铝基复合材料中的SiC颗粒进行化学改性，以及激光产生的高温改变铝基材料的切削特性，实现高效率，高质量加工。确保等离子体反应环境与激光光斑位于待加工区域，在铣刀加工前将工件表面进行改性。发明采用“激光+ICP等离子体”辅助方式。激光辅助切削加工是通过激光加热软化切削区材料，再利用刀具进行切削加工，在降低切削力、提高加工质量和加工效率等方面展现出许多优势。ICP等离子体反应具有材料选择性，方便精确控制SiC硬质颗粒的去除，适合辅助加工，提升加工效率及加工精度。
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公开(公告)号：CN116394013A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310472582.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23P25/00
Abstract: 一种针对铝基碳化硅的CCP、激光辅助铣削装置，硬脆材料技术领域。用于解决铝基碳化硅等硬脆零件的加工效率和质量问题，从而大大缩短加工周期，降低加工成本，以满足航天航空、电子、军事等领域的对该类零件需求。CCP等离子体发生装置和激光输出装置均安装在铣削主轴上，并确保等离子体反应环境与激光光斑位于待加工区域，在铣刀加工前将工件表面进行改性，射频电源与CCP等离子体发生装置进行连接，混合等离子体气源与CCP等离子体发生装置连接，激光源将激光传输到激光输出装置中。本发明采用CCP、激光辅助加工，改变被加工材料的表面性能，提高铣削效率与铣削质量，减少刀具损失，克服传统单一铣削方式中存在的加工周期长，表面质量差等缺点。
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公开(公告)号：CN116237777A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310472586.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23P25/00
Abstract: 一种针对铝基碳化硅的CCP、激光辅助铣削方法，属于硬脆材料技术领域。利用了等离子体化学反应对SiC颗粒增强铝基复合材料中的SiC颗粒进行化学改性，以及激光产生的高温改变铝基材料的切削特性，实现高效率，高质量加工方式。包括以下步骤：S2.设定CCP加工参数及激光功率，调节CCP等离子体发生装置以及激光输出装置安装位置与角度；S3.在牺牲工件上预热加工；S4.将铣削主轴移出加工区域到牺牲工件上。本发明采用的CCP大气等离子体与激光辅助系统相对于激光或者电加热的辅助加工方式，可以提高加工精度，加工后的SiC颗粒增强铝基复合材料表面粗糙度RMS可达20nm。CCP等离子体反应具有材料选择性，方便精确控制SiC硬质颗粒的去除，适合辅助加工。
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