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公开(公告)号：CN101876086A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010234894.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的制备方法，它涉及一种铁铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了铁铌酸锂晶体抗光致散射能力弱而造成的信噪比较低的问题。本方法如下：称取MgO、ZrO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3，然后混合，得到混合物；将混合物烘干后放入铂坩埚，然后在750℃煅烧3小时，再在1150℃烧结4小时，得到掺杂铌酸锂的多晶原料；将装有掺杂铌酸锂的多晶原料的铂坩埚放入中频炉内，然后在提拉速度为0.3～1.8mm/h、轴向温度梯度为40～50℃/cm、旋转速度为15～25r/min的条件下提拉，即得Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体。本发明Zr、Mg共掺铁铌酸锂晶体的抗光致散射能力可达4.8×104W/cm2。
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公开(公告)号：CN101892523A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010234895.7
申请日：2010-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法，它涉及一种三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了双掺Fe、Ru的铌酸锂晶体响应速度慢的问题。本方法如下：称取ZrO2、RuO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3，然后混合，得到混合物；将混合物烘干后放入铂坩埚，然后在750℃煅烧3小时，再在1150℃烧结4小时，再将铂坩埚放入中频炉内，然后在提拉速度为0.5～1.8mm/h、轴向温度梯度为40～50℃/cm、旋转速度为15～25r/min的条件下提拉，即得Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体。本发明制备的Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的响应时间能达到48秒，光折变灵敏度可以达到1.058cm/J。
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公开(公告)号：CN102162828A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010609730.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 定性检测PCB板电磁干扰辐射性能的装置及方法，属于电磁检测技术领域。它解决了现有对PCB板电磁干扰辐射的检测结果准确性低及价格昂贵的问题。它通过PC机发送控制指令，单片机电路根据控制指令确定近场探头的扫描工作模式，单片机电路同时控制X轴方向步进电机和Y轴方向步进电机的运动方向和运动距离，单片机电路的控制信号驱动相应电机运动，从而带动近场探头完成定位动作，近场探头完成定位之后，通过频谱分析仪接收近场探头的采集信号，并将采集的信号传输给PC机，最终通过数据处理及图像显示单元将处理后的数据及图像进行显示。本发明用于检测PCB板的电磁干扰辐射。
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