公开(公告)号：CN117711924A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311730172.X

申请日：2023-12-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘康 ,  范赛飞 ,  朱嘉琦 ,  梁博 ,  张晓晖 ,  张文超 ,  王彪

IPC: H01L21/04

Abstract: 一种在金刚石上制备低阻欧姆接触的方法及欧姆接触电极结构，本发明是为了解决难以在金刚石尤其是氧终端本征金刚石上制备欧姆接触的问题。制备低阻欧姆接触的方法：一、清洗；二、采用光刻工艺或掩膜工艺对清洗后的金刚石进行电极图案化处理；三、采用真空镀膜工艺依次在图案化处理的金刚石基底上沉积第一接触层、第二接触层和第三接触层；四、在惰性气体氛围中对沉积有电极的金刚石进行高温退火，其中步骤三中第一接触层的材质为ⅢB族到VⅢ族的过渡金属或硅。本发明使用过渡金属作为接触材料通过高温长时间退火在金刚石表面制备了低阻欧姆接触，制备的金属/半导体接触电阻率与势垒极低，极大提高了电接触的导电性能。

公开(公告)号：CN119627133A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411785535.4

申请日：2024-12-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王振波 ,  杨晨 ,  刘博 ,  张文超 ,  张云龙 ,  赵磊 ,  顾大明

IPC: H01M4/90 ,  H01M4/88 ,  B22F9/24

Abstract: 一种半金属掺杂Fe基单原子催化剂及其制备方法和应用，它涉及Fe基单原子催化剂及其制法和应用，它是要解决铁基非贵金属单原子催化剂在氧还原反应中活性和稳定性不足的问题。本发明的催化剂是Fe和Sb两种金属的原子形成原子对并嵌入碳载体中，表现为Fe＝2N＝Sb配位结构，同时Sb原子轴向上有一个羟基。制法：将ZIF‑8进行热处理得到N掺杂多孔碳材料，将其与Fe盐、Sb盐溶液混匀、蒸干后热活化，得到催化剂。制成的电极在0.1M HClO4溶液中老化3万圈后半波电位仅下降18mV。组装的质子交换膜燃料电池，在氢氧和氢空条件下的功率密度分别为1098.3、613.41mW/cm2，可用于燃料电池领域。

公开(公告)号：CN118748097A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410801466.5

申请日：2024-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院

Inventor： 刘本建 ,  陈子怡 ,  刘康 ,  朱嘉琦 ,  代兵 ,  李传龙 ,  张文超 ,  梁博 ,  朱泓达

IPC: G21H1/06

Abstract: 一种叠层p‑金刚石/n‑β‑Ga2O3异质结同位素电池，本发明要解决n型金刚石掺杂困难，金刚石的厚度难降低等问题。本发明异质结同位素电池由下至上依次由放射源正电极层A、半导体器件A、放射源背电极层B、半导体器件B和放射源正电极层C形成叠层结构，其中半导体器件A从下至上依次由p+‑金刚石帽子层A、p‑金刚石发射层A、n‑β‑Ga2O3基层A和n+‑β‑Ga2O3缓冲层A形成叠层结构；所述的半导体器件B从下至上依次由n+‑β‑Ga2O3缓冲层B、n‑β‑Ga2O3基层B、p‑金刚石发射层B、p+‑金刚石帽子层B形成叠层结构。本发明采用了叠层结构，提高了器件的能量密度，还兼具高功率、小体积等特点。

公开(公告)号：CN118448467A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410394378.8

申请日：2024-04-02

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院

Inventor： 刘本建 ,  张文超 ,  刘康 ,  赵继文 ,  张森 ,  代兵 ,  朱嘉琦

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/47 ,  H01L21/338

Abstract: 本发明提供一种增强型金刚石基场效应晶体管，包括金刚石衬底、源极、漏极、栅极和低功函数金属耗尽层；金刚石衬底上形成有氢终端表面，氢终端表面为金刚石衬底氢化处理得到，氢终端表面接触空气形成导电沟道，源极和漏极设置于导电沟道的两端；低功函数金属耗尽层设置于导电沟道上，并位于源极和漏极之间；低功函数金属耗尽层的功函数小于4.9eV，厚度为5‑50nm，低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触；低功函数金属耗尽层材质为金、铝、钛、锆、铂、铪及钇中的至少一种；低功函数金属耗尽层上设置有栅电极，低功函数金属耗尽层通过介质层与栅电极导通。本发明的低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触，夹断沟道实现常关特性，阈值电压稳定。

公开(公告)号：CN119767691A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411870230.3

申请日：2024-12-18

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院 ,  河南碳真芯材科技有限公司

Inventor： 刘本建 ,  梁博 ,  梁伟 ,  李传龙 ,  张森 ,  陈子怡 ,  张文超 ,  刘康 ,  代兵 ,  朱嘉琦 ,  赵继文 ,  段成成

IPC: H10D8/00 ,  H10D62/10 ,  H10D8/01

Abstract: 一种通过利用钛酸锶构成金刚石介电二极管及其制备方法，本发明是为了解决现有金刚石二极管反向过早击穿的问题。本发明通过利用钛酸锶构成金刚石介电二极管包括欧姆接触电极、掺硼金刚石衬底、金刚石本征外延层、钛酸锶介电层和金属电极，在掺硼金刚石衬底上沉积有金刚石本征外延层，在掺硼金刚石衬底的下表面沉积金属膜层作为欧姆接触电极，在金刚石本征外延层上沉积钛酸锶介电层，在钛酸锶介电层沉积金属电极。本发明金刚石介电二极管中钛酸锶与金刚石构成的介电结价带差值仅为0.14eV，几乎不影响二极管的正向导电性能。钛酸锶作为高介电常数材料，能够有效减少金刚石表面电场集中的情况，大大提高金刚石二极管的反向击穿性能。

公开(公告)号：CN114628249A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210258284.9

申请日：2022-03-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓晖 ,  刘康 ,  刘本建 ,  张文超 ,  朱嘉琦 ,  代兵 ,  韩杰才

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324

Abstract: 利用铁催化作用在本征金刚石表面制备欧姆接触的方法，本发明解决半导体器件在金属‑半导体接触处会产生较大的能量损耗等问题。制备欧姆接触的方法：在清洗后的金刚石上匀胶处理，再进行光刻处理，然后在光刻后的金刚石表面磁控溅射沉积Fe层，经过清洗去胶，将表面镀制有铁的金刚石置于石英管中密封，石英管内充有保护气体，然后转移至管式炉中，在800～950℃下退火处理，在本征金刚石表面制备欧姆接触。本发明通过控制退火温度和时间获得最小的接触电阻率，极大提高了导电性能，触点结合性能较好可以长时稳定的工作，由于Fe的存在引线难度降低易于表面形成机械稳定的接触，降低了表面整体石墨化的温度，简化了制备流程。