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公开(公告)号：CN116352210A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310479228.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石电烙铁及其制备方法，本发明要解决现有金属制烙铁头容易在高温下产生氧化、不沾锡、被酸性助焊剂腐蚀等问题。金刚石电烙铁的制备方法：一、将金刚石块件放置在激光切割机样品台上，用激光将金刚石块件切割成条状；二、再用激光将烙铁头基体的一端切割成多棱锥状，作为电烙铁头的接触端；三、使用磨床将烙铁头基体接触端的尖棱锥磨出圆角；四、在烙铁头基体表面镀上钛膜或钨膜，然后在惰性气氛下以600～900℃原位退火处理；五、将金属化后的烙铁头基体与热单元和外壳装配组装。本发明通过使用金刚石制备电烙铁头，使电烙铁头具有抗腐蚀抗氧化、导热快热效应高、超高硬度抗磨损、易沾锡、绝缘无电感、不损伤电子元器件等优点。
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公开(公告)号：CN118603345A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410654295.8
申请日：2024-05-24
Abstract: 多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器及其制备方法，属于温度传感器领域。解决了传统的掺硼金刚石温度传感器无法弱化声子‑电子耦合现象，导致掺硼金刚石温度传感器的电导率随温度变化的敏感性差，以及普通机械装配方式易损伤且存在界面热适配的问题。本发明将掺硼金刚石膜上设置点阵式排列的微纳尺度孔径结构，该微纳尺度孔径结构存在可使掺硼金刚石内声子输运过程发生声子相干现象，弱化声子与电子之间的相互作用，增强电子的输运能力增加掺硼金刚石的电学性能以及其温度敏感性，另一方面多层膜所形成的复合薄膜结构沉积在测温物件表面，确保恶劣环境的机械结构稳定性，并且可以减少界面热适配造成的测温误差与延迟。本发明主要用于测温。
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公开(公告)号：CN118256900A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410582123.4
申请日：2024-05-11
Abstract: 一种热丝CVD的紧丝装置及其自动控制方法，本发明的目的是为了解决现有热丝CVD的紧丝装置在降温过程中易出现断裂的问题。热丝CVD的紧丝装置中的四根电极支架竖直设置，两个电极对称设置，所述的连接机构为横置的椭圆柱体，沿椭圆柱体的径向开有通孔，沿椭圆柱体的轴向开有方形槽孔，热丝的一端沿方形槽孔的宽度方向穿入，再绕入插设在通孔中，热丝张紧在两个电极之间，连接机构的一椭圆端与静态单轴力矩传感器转动连接，连接机构的另一椭圆端与伺服电机的动力输出端相连。本发明能够根据热丝CVD的工艺阶段自动调节热丝的状态，使热丝在升温及保温的过程中不下榻、在降温的过程中不断裂，延长了热丝的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119121153A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411039723.2
申请日：2024-07-31
Abstract: 使用铂族金属对金刚石进行表面直接金属化且增强与非浸润金属结合强度的方法，本发明为了解决非浸润金属在金刚石上附着力差易脱落，钛、钨等常用中间层需要后续退火等繁琐步骤的问题。增强与非浸润金属结合强度的方法：一、对金刚石片进行抛光，然后放入王水中煮沸处理；二、将预处理后的金刚石片放入氧化性酸液中，煮沸处理；三、采用真空物理气相沉积工艺或者湿法镀覆工艺在金刚石片镀覆铂族金属层；四、在金属化的金刚石片表面沉积或者镀覆非浸润金属层。本发明利用铂族金属易与金刚石相互扩散形成致密固溶体的倾向，直接沉积即可完成对金刚石的表面金属化，所制成的金刚石‑铂族金属结构具有较高结合强度、较低电阻与热阻。
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公开(公告)号：CN118326329A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410441178.3
申请日：2024-04-12
Abstract: 使用过渡金属对金刚石进行金属化制备定点浅层色心的方法，本发明为了解决现有金刚石内色心制备需要用到复杂的化学气相沉积工艺或大型粒子注入设备，且难以控制色心制备定位等问题。制备定点浅层色心的方法：一、对含有杂质的金刚石进行超声清洗；二、采用氩等离子体对清洗后的金刚石进行刻蚀；三、采用光刻工艺或掩膜工艺进行图案化处理；四、采用真空镀膜工艺在图案化处理的金刚石基底上依次沉积过渡金属层和防氧化层；五、对沉积有双层结构的金刚石基底进行高温退火；六、酸洗。本发明使用过渡金属对金刚石进行金属化，不会刻蚀破坏金刚石表面，近乎无损工艺使金属化后的金刚石表面依然平整光滑，为色心的发光提供稳定的环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118784070A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410820582.1
申请日：2024-06-24
IPC: H04B10/11 , H04B10/516 , H01L31/108
Abstract: 基于金刚石探测器的紫外光通讯系统与光通讯方法，本发明是为了解决现有SiC、GaN、Ga2O3等半导体紫外探测器的响应时间长的问题。本发明基于金刚石探测器的紫外光通讯系统包括信号调制组、电源、金刚石紫外光电探测器和信息读取组，信号调制组为具有TTL调制的紫外光源发射端，金刚石紫外光电探测器设置在封装外壳内，外壳上的引脚与金刚石紫外光电探测器的电极相连，电源向金刚石紫外光电探测器提供偏压，信号调制组发射的紫外光照射在金刚石紫外光电探测器的电极上，金刚石紫外光电探测器的输出信号输入到信息读取组中。本发明所述的光通讯方法无背景噪声影响，具有较好的抗电磁干扰性能、非视距灵活组网能力和高局域保密特性。
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公开(公告)号：CN116555907B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202310479229.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 仿生自清洁多晶金刚石的制备方法，本发明的目的是为了解决多晶金刚石表面易吸附粉尘的问题。制备方法：一、超声清洗多晶金刚石；二、金刚石放入化学气相沉积设备中；三、通入反应气体H2与O2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氧刻蚀1～3h；四、通入Ar、N2与CH4，进行纳米金刚石的外延生长0.5～3h；五、通入H2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氢刻蚀1～3h；六、关闭设备；七、滴入氟硅烷进行表面化学修饰。本发明采用三步法分别对金刚石进行氧刻蚀、外延生长和氢刻蚀，在多晶金刚石表面形成高比表面积的双重微纳结构，实现了多晶金刚石表面的超疏水，并且具有优异的自清洁功能。
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公开(公告)号：CN117761399A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311795371.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 一种测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法，本发明的目的在于解决高阻半导体尤其是氧终端本征金刚石难以使用TLM测试比接触电阻的问题。测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法：一、取制备好欧姆接触TLM电极图案的氧终端本征金刚石作为金刚石样品；二、将金刚石样品放入微波等离子体化学气相沉积设备中，通入氢气，激活等离子体，进行氢化处理，得到氢化后的金刚石样品；三、将氢化后的金刚石样品放置在空气中进行转移掺杂；四、使用传输线法测试样品的比接触电阻。本发明将未被欧姆接触电极覆盖的氧终端金刚石表面转变为可二维空穴气导电、电阻极小的氢终端表面，降低了半导体薄层电阻，增大测试电流，减少了小电流造成的测试误差。
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公开(公告)号：CN116475418A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310479246.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/24 , B23B51/00 , B22F5/00 , B22F7/06 , C23C14/34 , C23C14/10 , G01K7/02 , G01K1/14 , G01K1/143 , E21B10/46
Abstract: 带有嵌入式薄膜热电偶阵列聚晶金刚石刀具的制备方法，本发明的目的是为了解决针对聚晶金刚石刀具传统的接触式测温中热电偶距离刀尖太远难以获得精确瞬态温度值的问题。制备方法：一、在聚晶金刚石的碳化钨硬质合金层加工出多个浅槽；二、抛光；三、超声清洗；四、沉积第一SiO2绝缘层；五、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案A；六、沉积热电偶材料A薄膜；七、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案B；八、沉积热电偶材料B薄膜；九、胶连补偿线；十、沉积第二SiO2绝缘层；十一、焊接。本发明通过在聚晶金刚石刀具后刀面集成大量微型薄膜热电偶组成阵列，能够精准测量切削刃‑工件界面温度与热流分布，发现热应力集中点。
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公开(公告)号：CN116352210B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310479228.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石电烙铁及其制备方法，本发明要解决现有金属制烙铁头容易在高温下产生氧化、不沾锡、被酸性助焊剂腐蚀等问题。金刚石电烙铁的制备方法：一、将金刚石块件放置在激光切割机样品台上，用激光将金刚石块件切割成条状；二、再用激光将烙铁头基体的一端切割成多棱锥状，作为电烙铁头的接触端；三、使用磨床将烙铁头基体接触端的尖棱锥磨出圆角；四、在烙铁头基体表面镀上钛膜或钨膜，然后在惰性气氛下以600～900℃原位退火处理；五、将金属化后的烙铁头基体与热单元和外壳装配组装。本发明通过使用金刚石制备电烙铁头，使电烙铁头具有抗腐蚀抗氧化、导热快热效应高、超高硬度抗磨损、易沾锡、绝缘无电感、不损伤电子元器件等优点。
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