公开(公告)号：CN104616699B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201510100847.1

申请日：2015-03-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 肖立伊 ,  柳姗姗 ,  曹雪兵 ,  王天琦 ,  叶蓉

IPC: G11C29/42

Abstract: 负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法，涉及抗辐射加固电路领域，具体涉及一种存储器在多位翻转效应下可靠性评估模型的设计方法。为了解决现有的存储器抗多位翻转可靠性评估模型设计方法设计出的模型评估准确率低的问题。本发明分析NBTI效应对临界电荷的影响，得到NBTI效应与临界电荷的对应值以及对应关系；统计EventSBU和EventMBU，得到不同临界电荷的存储器发生MBUs事件的概率；根据MBUs事件概率与NBTI应力时间的关系曲线，建立考虑NBTI效应的多位翻转事件概率模型最终得到未使用擦除技术的考虑NBTI效应的存储器抗多位翻转MTTF模型和使用擦除技术的考虑NBTI效应的存储器抗多位翻转MTTF模型本发明适用于抗辐射加固电路领域。

公开(公告)号：CN104616699A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510100847.1

申请日：2015-03-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 肖立伊 ,  柳姗姗 ,  曹雪兵 ,  王天琦 ,  叶蓉

IPC: G11C29/42

Abstract: 负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法，涉及抗辐射加固电路领域，具体涉及一种存储器在多位翻转效应下可靠性评估模型的设计方法。为了解决现有的存储器抗多位翻转可靠性评估模型设计方法设计出的模型评估准确率低的问题。本发明分析NBTI效应对临界电荷的影响，得到NBTI效应与临界电荷的对应值以及对应关系；统计EventSBU和EventMBU，得到不同临界电荷的存储器发生MBUs事件的概率；根据MBUs事件概率与NBTI应力时间的关系曲线，建立考虑NBTI效应的多位翻转事件概率模型；最终得到未使用擦除技术的考虑NBTI效应的存储器抗多位翻转MTTF模型和使用擦除技术的考虑NBTI效应的存储器抗多位翻转MTTF模型。本发明适用于抗辐射加固电路领域。