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公开(公告)号：CN119542128A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411622354.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L21/205 , H01L21/78 , H10F77/124 , H10F77/169 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种磷化铟单晶薄膜的高质量定向远程外延方法和剥离转移方法。本发明在磷化铟单晶衬底表面覆盖单层石墨烯膜，再采用两段式气相外延法制备磷化铟单晶薄膜；之后将磷化铟单晶薄膜剥离并转移到硅基底表面。本发明采用两段式气相外延法，能够保护石墨烯不受破坏，提高外延膜的晶体质量；利用单层石墨烯的薄层特性及电穿透性，可以通过更换不同晶面的衬底制备定向晶面的磷化铟单晶薄膜；同时，石墨烯/外延层界面为范德华力，利用机械力即可剥离，进而实现磷化铟单晶薄膜的转移。综上，本发明能够实现特定取向磷化铟单晶薄膜、异质结薄膜乃至器件的剥离转移和硅基异质集成，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN104174831A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410443092.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高体积分数增强相钛基复合材料铸件的铸造方法，它涉及一种钛基复合材料的铸造方法，以解决现有高体积分数增强相钛基复合材料重力铸造充型困难、内部质量难以保证以及离心铸造方法工艺复杂、材料利用率低的问题，主要方法是：步骤一、制造吸铸模具；步骤二、熔配高体积分数增强钛基复合材料铸锭；步骤三、熔炼铸锭，将铸锭翻转重熔两次；步骤四、铸锭准备再熔炼；步骤五、真空熔炼得到过热熔体；步骤六、开启真空电弧熔炼炉的吸铸室的真空系统，开启吸铸按钮，吸铸充型并降温，得到铸件。本发明用于制备高体积分数增强相钛基复合材料铸件。
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公开(公告)号：CN104174831B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410443092.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高体积分数增强相钛基复合材料铸件的铸造方法，它涉及一种钛基复合材料的铸造方法，以解决现有高体积分数增强相钛基复合材料重力铸造充型困难、内部质量难以保证以及离心铸造方法工艺复杂、材料利用率低的问题，主要方法是：步骤一、制造吸铸模具；步骤二、熔配高体积分数增强钛基复合材料铸锭；步骤三、熔炼铸锭，将铸锭翻转重熔两次；步骤四、铸锭准备再熔炼；步骤五、真空熔炼得到过热熔体；步骤六、开启真空电弧熔炼炉的吸铸室的真空系统，开启吸铸按钮，吸铸充型并降温，得到铸件。本发明用于制备高体积分数增强相钛基复合材料铸件。
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