公开(公告)号：CN115747901B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202211418323.3

申请日：2022-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田艳红 ,  撒子成 ,  王尚 ,  冯佳运 ,  张贺 ,  刘旭东

IPC: C25D3/22 ,  C25D5/50 ,  C22F1/16 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C23C18/52 ,  C23C18/16 ,  C21D9/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种抑制纳米孪晶铜界面裂纹生成的保护层及其制备方法和应用，属于电子封装与互连技术技术领域。本发明解决了现有纳米孪晶铜作为焊盘使用时，其内部存在大量空位阱及硫元素，在焊点服役过程中不断富集，最终导致焊点界面开裂的问题。本发明应用金属元素在纳米孪晶铜镀层表面形成镀层，并配合低温热处理使金属镀层合金化，在保持焊盘纳米孪晶结构的基础上抑制界面裂纹的产生，提高纳米孪晶铜焊点的服役可靠性。本发明在孪晶铜镀层表面形成的合金化镀层，可以明显抑制硫元素扩散并且预防空位阱聚集，防止界面裂纹的产生以及界面柯肯达尔孔洞的生成。此外，提供的保护层的制备方法简单，适用于工业化生产，拓宽了纳米孪晶铜焊盘的应用。

公开(公告)号：CN115747901A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211418323.3

申请日：2022-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田艳红 ,  撒子成 ,  王尚 ,  冯佳运 ,  张贺 ,  刘旭东

IPC: C25D3/22 ,  C25D5/50 ,  C22F1/16 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C23C18/52 ,  C23C18/16 ,  C21D9/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种抑制纳米孪晶铜界面裂纹生成的保护层及其制备方法和应用，属于电子封装与互连技术技术领域。本发明解决了现有纳米孪晶铜作为焊盘使用时，其内部存在大量空位阱及硫元素，在焊点服役过程中不断富集，最终导致焊点界面开裂的问题。本发明应用金属元素在纳米孪晶铜镀层表面形成镀层，并配合低温热处理使金属镀层合金化，在保持焊盘纳米孪晶结构的基础上抑制界面裂纹的产生，提高纳米孪晶铜焊点的服役可靠性。本发明在孪晶铜镀层表面形成的合金化镀层，可以明显抑制硫元素扩散并且预防空位阱聚集，防止界面裂纹的产生以及界面柯肯达尔孔洞的生成。此外，提供的保护层的制备方法简单，适用于工业化生产，拓宽了纳米孪晶铜焊盘的应用。