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公开(公告)号：CN107142456B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710247265.5
申请日：2017-04-17
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种双功能柱对称大尺寸高均匀性线型磁控靶镀膜设备。该设备在圆形真空腔中心安放用于夹持凸形柱面镜的转动轴，在外围安装用于安放凹形柱面镜的转动圆环，在转动圆环和转动轴之间安放竖直摆放的线型磁控溅射靶枪，靶枪前安放有可以旋转的气动挡板。通过改变靶枪朝向和调整靶枪在真空腔内的径向位置，可使靶枪分别指向转动圆环和转动轴，并对安装在转动圆环上的凹形柱面镜或者是安装在转动轴上的凸形柱面镜进行镀制。通过改变靶枪前的气动挡板的开关以及转动圆环和转动轴的转动速率完成对薄膜制备工艺的控制。
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公开(公告)号：CN117091809A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311070124.2
申请日：2023-08-23
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种间接标定窄带多层膜反射峰位的方法，涉及光学薄膜及光学检测技术领域，包括以下步骤：制备一组不同周期的极紫外多层膜样品；用掠入射X射线反射仪测试样品并拟合得到多层膜的实际周期；用实验室极紫外反射率计测试样品在参考波长的反射率；绘制参考波长处的反射率‑周期关系并拟合为曲线，确定曲线最高点对应的周期d1为反射峰位在参考波长时对应的多层膜周期；根据修正后的布拉格公式得到参考波长和中心工作波长对应的周期之差Δd，获得反射峰位在中心工作波长处的多层膜周期为d2＝d1+Δd。本发明采用上述一种间接标定窄带多层膜反射峰位的方法，周期修正精度优于0.05nm，具有高可靠性和重复性，提升了多层膜周期标定的效率。
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公开(公告)号：CN115389537A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211030012.X
申请日：2022-08-26
Applicant: 同济大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/207 , G02B27/00 , G02B5/08 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种具有高通量的小焦斑中子聚焦系统，包括：将八个Montel型中子超镜进行环形布置，共焦点精密对准，使不同的物有共同的像；与中子超镜间隔设置的非球面反射镜基板；还包括以下步骤：S1、利用Zmax光学系统设计软件，构建拓展发散光源和聚焦系统的光学模型；S2、用光学追迹软件模拟计算光学系统的聚焦性能；S3、将光学元件的面形误差、反射率因素引入系统光学模型；S4、通过光学追迹，研究系统像差来源，结合实际应用需求，优化系统结构和器件尺寸，确定器件加工要求。根据本发明，具有高通量、小焦斑等优点，填补了中子聚焦在小尺寸高强度方面的空缺，实现了宽谱的适用于散裂中子源的聚焦。
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公开(公告)号：CN112342513A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011079375.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种直线型多功能磁控溅射镀膜设备及镀膜方法，所述设备包括真空腔以及设置于所述真空腔内的移动机构、样品架以及多个靶枪机构，所述移动机构位于真空腔底部，贯穿真空腔，所述样品架设置于移动机构上，所述多个靶枪机构沿所述样品架移动方向排列设置，形成镀膜区域，以实现掠靶式直线镀膜；各所述靶枪机构包括沿溅射方向依次设置的靶枪基座、磁控溅射靶枪、气动挡板和掩膜板，所述磁控溅射靶枪通过多功能连接件安装于靶枪基座上，所述气动挡板连接有控制该气动挡板打开或关闭的控制件，所述掩膜板连接有升降件。与现有技术相比，本发明能够实现在同一块反射镜分区镀制不同结构膜系，降低制备周期，能满足实现不同尺寸反射镜的镀制。
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公开(公告)号：CN111996506A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010761773.7
申请日：2020-07-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法及反射镜，该方法包括以下步骤：1)在磁控溅射镀膜真空腔内的样品架上放置基板，该基板的表面粗糙度小于0.3纳米；2)对磁控溅射镀膜真空腔进行抽真空后，向该真空腔内充入高纯氪气作为溅射气体以调节磁控溅射镀膜真空腔内的工作气压，使工作气压接近等离子体稳定启辉的最低临界值，工作过程中，氪气气压变化幅度小于5％；3)开启直流磁控溅射电源，进行钯靶材和碳化硼靶材的预溅射；4)控制装有基板的样品架交替停留在钯靶材和碳化硼靶材的溅射区域，完成制备。与现有技术相比，本发明能够有效降低靶材反溅效果，保障成膜质量，具有工艺重复性好、可控性强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109852927A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910180279.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，包括基底和B4C薄膜其特征在于，所述基底和B4C薄膜间设置有金属层；所述的金属层的材料为活泼金属；该活泼金属优选为Ti、Ni、Al、Mg或MgAl合金中的一种；所述金属层的厚度小于100nm。与现有技术相比，本发明大大增强了B4C薄膜与铝基底间的黏附效果；解决B4C薄膜从铝基底上脱落的问题，具有制备简单，膜系结构简单，工艺成熟，可制备性强等优点。
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公开(公告)号：CN106987817A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710247339.5
申请日：2017-04-17
Applicant: 同济大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/044 , C23C14/54
Abstract: 本发明涉及一种提高线型磁控溅射靶枪在凹形柱面基底镀膜质量的方法，分别利用安装在靶枪前方的掩膜板和安装在样品架上位于样品两侧对称位置的分隔板，限制大尺寸线型磁控溅射靶枪在水平和竖直方向溅射粒子的发散角度，使得溅射粒子倾斜轰击基板的入射角度减小，减小倾斜轰击基板的溅射粒子对成膜质量的不利影响，提高凹形柱面基底的薄膜质量。
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公开(公告)号：CN117026190B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311024632.7
申请日：2023-08-15
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制极紫外钪基多层膜脆化的制备方法，包括以下步骤：步骤一、钪膜层通过基底先进入钪靶材溅射区域沉积部分预期厚度；步骤二、基底进入硅靶材溅射区域沉积极薄的结晶抑制层，再沉积余下厚度的钪膜层，完成钪膜层的制备；步骤三、基底进入硅靶材溅射区域，完成硅膜层的制备；步骤四、基底重复交替运行，完成钪基多层膜反射镜的制备。本发明采用上述的一种抑制极紫外钪基多层膜脆化的制备方法，通过在钪层中引入极薄结晶抑制层，改变钪膜层内部微结构，抑制钪基多层膜脆化，提升极紫外钪基多层膜反射镜抗震动冲击机械性能，适用于空间极紫外观测，同时对极紫外波段金属层的光学常数影响小，可维持极紫外钪基多层膜的高反射率。
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公开(公告)号：CN116728038A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310914852.0
申请日：2023-07-25
Applicant: 同济大学
IPC: B23P19/00
Abstract: 本发明涉及一种高精度中子超镜导管的装配集成方法，该方法包括：将多块中子超镜反射面放置于高平面度的基准面板，并在其上放置长背板，于长背板和基准面板之间，构成一块中子导管壁；然后四块中子导管壁共同顶靠于高精度支撑靠体上；经测量保证尺寸精度并将四块中子超镜导管壁固定成一个整体，完成固化，拆除靠体得到中子超镜导管，最后加工高精度加工U型夹具，调整两块中子超镜导管之间的相对姿态，完成两块中子超镜导管的装调。与现有技术相比，本发明的优点在于通过实时测量保证导管口径尺寸、平行度和垂直度等参数处于几十微米量级，导管壁平面度达到亚毫弧度量级，且高精度靠体可重复使用，易于批量化生产。
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公开(公告)号：CN112159962B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010945223.0
申请日：2020-09-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种抗环境侵蚀极紫外多层膜表面保护层快速制备方法及应用，所述方法包括以下步骤：在基底上镀制极紫外多层膜；保持极紫外多层膜的真空环境不变，进行镁靶材和铝靶材的预溅射；将镀制有所述极紫外多层膜的基底重复交替运动到镁靶材和铝靶材的溅射区域，控制运动参数，完成镁膜层和铝膜层交替生长的铝/镁多层膜结构的镀制，形成铝镁混合保护层，所述铝/镁多层膜结构中，每层镁膜的厚度为1‑3纳米，每层铝膜的厚度为1‑3纳米；将镀制完成的基底取出真空腔，放置于大气环境中自发融合。与现有技术相比，本发明制备效率高，能大幅提高表面保护层的制作速度，保证极紫外多层膜的稳定性。
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