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公开(公告)号：CN109518270B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811179140.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶光纤的包层制备方法，包括以下步骤：(1)包层的制备：将单晶光纤作为预制棒原料，并在其中心轴线上钻孔，得到包层；(2)预制棒的制备：将外径与包层中心孔径相当的单晶体作为纤芯，插入包层中心孔内，得到预制棒；(3)单晶光纤的制备：将预制棒作为籽晶进行晶体生长，形成具备包层结构与纤芯结构的单晶光纤。与现有技术相比，本发明具有使用原料少，生长速度快，使用小尺寸的贵金属坩埚可降低成本等优点。
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公开(公告)号：CN109082707A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810902235.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比，本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体，并具有延长坩埚使用寿命，降低长晶成本等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107698165A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710642945.7
申请日：2017-07-31
Applicant: 同济大学
CPC classification number: C03C10/00 , C09K11/7407
Abstract: 本发明涉及一种含有锗酸铋晶相的微晶玻璃及其制备方法，该微晶玻璃的微晶相为锗酸铋，微晶玻璃的制备原料为三氧化二铋、二氧化锗和氢氧化铋，摩尔比为10-40：60-90：3-10，具体制备方法包括以下步骤：(1)按配比准备原料，并将原料研磨；(2)将研磨好的原料混合并高温融制成玻璃；(3)将制得的玻璃退火、降温，即得到含晶相为锗酸铋的微晶玻璃。本发明的闪烁微晶玻璃材料具有类似于晶体材料半高宽为200nm左右宽带的发光特性，同时具有良好的加工性，使其在射线探测方面的应用范围更为广泛，玻璃材料性能优良，尺寸稳定，制备工艺简单，性能可设计，可与金属焊接，制作成本低。
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公开(公告)号：CN109082707B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810902235.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比，本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体，并具有延长坩埚使用寿命，降低长晶成本等优点。
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公开(公告)号：CN109518270A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811179140.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶光纤的包层制备方法，包括以下步骤：(1)包层的制备：将单晶光纤作为预制棒原料，并在其中心轴线上钻孔，得到包层；(2)预制棒的制备：将外径与包层中心孔径相当的单晶体作为纤芯，插入包层中心孔内，得到预制棒；(3)单晶光纤的制备：将预制棒作为籽晶进行晶体生长，形成具备包层结构与纤芯结构的单晶光纤。与现有技术相比，本发明具有使用原料少，生长速度快，使用小尺寸的贵金属坩埚可降低成本等优点。
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公开(公告)号：CN108441937A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810184308.4
申请日：2018-03-06
Applicant: 同济大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6)，所述的坩埚(5)内设有搅拌原料(4)的搅拌器(7)。与现有技术相比，本发明在传统坩埚与熔体相对静止的基础上增加了坩埚旋转功能，增加坩埚与国内熔体的相对运动，更加容易排除熔体中的气泡，同时使得原料中的掺杂元素分布更加均匀，有利于生长出高质量晶体。
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