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公开(公告)号：CN114921850B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210376512.2
申请日：2022-04-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种钬镨共掺钪酸钆中红外波段激光晶体及其制备方法与应用，晶体化学式为HoxPryGd1‑x‑yScO3，其中x的取值范围为0.001‑0.05，其中y的取值范围为0.0001‑0.01，制备方法为以Ho2O3，Pr6O11，Gd2O3，Sc2O3多晶粉末为原料，采用导模法生长，与现有技术相比，本发明晶体能实现高效中红外波段激光输出，可应用于激光医疗、环境监测或作为光参量振荡泵浦源实现3‑15微米的中红外激光的输出等领域。
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公开(公告)号：CN114836831A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210376504.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种Er,Dy共掺氟化铅中红外激光晶体及其制备方法与应用，该晶体的化学式为ErxDyyPb1‑x‑yF2，其中x的取值范围为0.02‑0.08，y的取值范围为0.002‑0.01；晶体采用温度梯度法生长，该方法包括以下步骤：(1)以ErF3，DyF3和PbF2单晶颗粒或粉末作为原料，按照化学式ErxDyyPb1‑x‑yF2计算每种原料所需的质量并准确称量；(2)将称量好的原料粉末研磨并混合均匀，然后装入多孔石墨坩埚，并盖上石墨盖；(3)将装好料的多孔石墨坩埚放置在热场中进行抽真空，随后充入保护性气体，升温以确保完全化料和排杂完成，然后降温进行晶体生长，在生长结束后，降至室温，然后取出晶体。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效中红外激光输出，可应用于遥感、探测、远距离传输和医学等领域。
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公开(公告)号：CN109082707B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810902235.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比，本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体，并具有延长坩埚使用寿命，降低长晶成本等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109518270A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811179140.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶光纤的包层制备方法，包括以下步骤：(1)包层的制备：将单晶光纤作为预制棒原料，并在其中心轴线上钻孔，得到包层；(2)预制棒的制备：将外径与包层中心孔径相当的单晶体作为纤芯，插入包层中心孔内，得到预制棒；(3)单晶光纤的制备：将预制棒作为籽晶进行晶体生长，形成具备包层结构与纤芯结构的单晶光纤。与现有技术相比，本发明具有使用原料少，生长速度快，使用小尺寸的贵金属坩埚可降低成本等优点。
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公开(公告)号：CN114921850A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210376512.2
申请日：2022-04-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种钬镨共掺钪酸钆中红外波段激光晶体及其制备方法与应用，晶体化学式为HoxPryGd1‑x‑yScO3，其中x的取值范围为0.001‑0.05，其中y的取值范围为0.0001‑0.01，制备方法为以Ho2O3，Pr6O11，Gd2O3，Sc2O3多晶粉末为原料，采用导模法生长，与现有技术相比，本发明晶体能实现高效中红外波段激光输出，可应用于激光医疗、环境监测或作为光参量振荡泵浦源实现3‑15微米的中红外激光的输出等领域。
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公开(公告)号：CN114836831B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210376504.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种Er,Dy共掺氟化铅中红外激光晶体及其制备方法与应用，该晶体的化学式为ErxDyyPb1‑x‑yF2，其中x的取值范围为0.02‑0.08，y的取值范围为0.002‑0.01；晶体采用温度梯度法生长，该方法包括以下步骤：(1)以ErF3，DyF3和PbF2单晶颗粒或粉末作为原料，按照化学式ErxDyyPb1‑x‑yF2计算每种原料所需的质量并准确称量；(2)将称量好的原料粉末研磨并混合均匀，然后装入多孔石墨坩埚，并盖上石墨盖；(3)将装好料的多孔石墨坩埚放置在热场中进行抽真空，随后充入保护性气体，升温以确保完全化料和排杂完成，然后降温进行晶体生长，在生长结束后，降至室温，然后取出晶体。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效中红外激光输出，可应用于遥感、探测、远距离传输和医学等领域。
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公开(公告)号：CN109518270B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811179140.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶光纤的包层制备方法，包括以下步骤：(1)包层的制备：将单晶光纤作为预制棒原料，并在其中心轴线上钻孔，得到包层；(2)预制棒的制备：将外径与包层中心孔径相当的单晶体作为纤芯，插入包层中心孔内，得到预制棒；(3)单晶光纤的制备：将预制棒作为籽晶进行晶体生长，形成具备包层结构与纤芯结构的单晶光纤。与现有技术相比，本发明具有使用原料少，生长速度快，使用小尺寸的贵金属坩埚可降低成本等优点。
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公开(公告)号：CN109082707A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810902235.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比，本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体，并具有延长坩埚使用寿命，降低长晶成本等优点。
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