公开(公告)号：CN110467457A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910747296.6

申请日：2019-08-14

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  晁雯娜

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种基于轧膜工艺的铪酸铅基反铁电材料及其制备与应用，该铪酸铅基反铁电材料的化学通式为(Pb1-3z/2Laz)(Hf1-x-ySnxTiy)O3，其中，0

公开(公告)号：CN102643090B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201110348574.4

申请日：2011-11-07

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  王瑾菲 ,  郑琼娜 ,  姚熹

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种低居里点TC的高介电电场双向可调PZT基反铁电陶瓷材料及其制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明的具有介电电场双向可调性的PZT基反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.99-x-yBaxLay)(Zr0.51Sn0.39Ti0.10)O3，其中，0＜x≤0.20，0＜y≤0.06。本发明的介电双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料在较低居里点TC附近，在一定的偏压下，具有高的介电常数，低的介电损耗，并且随偏压的增大先增大后减小，具有双向介电可调特性，同时呈现很高的热释电系数及热释电电流，可广泛用于微电子、计算机、电容器、传感器和航空航天技术等领域。

公开(公告)号：CN115466113B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202210923079.X

申请日：2022-08-02

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  刘晓辉

IPC: C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  C04B35/472

Abstract: 本发明涉及电子功能材料与器件技术领域，尤其是涉及一种异质叠层结构铅基反铁电陶瓷及其制备与应用。本发明的异质叠层结构铅基反铁电陶瓷由铅基反铁电材料和铅基铁电材料组成；所述铅基反铁电材料的化学组成为(Pb0.875La0.05Sr0.05)(Zr0.695Sn0.3Ti0.005)O3，所述铅基铁电材料的化学组成为Pb0.99(Nb0.75Ta0.25)0.2(Zr0.9Sn0.1)0.8O3。本发明所涉及的铅基反铁电陶瓷，由异质叠层构成，可针对不同应用需求，通过不同异质叠层的组合实现相转变电场大小的调控，具有在低电场下高的饱和极化和低的剩余极化特点，可获得相对较高的储能密度。

公开(公告)号：CN102643092B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210137804.7

申请日：2012-05-04

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  李刚 ,  王瑾菲 ,  张清风 ,  姚熹

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种铅基反铁电纳米材料和铅基反铁电陶瓷储能材料的制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明通过使用硝酸铵-氨水缓冲溶液作为沉淀剂，制备出的铅基反铁电纳米粉体的粒径小、分布均匀，其粒径分布为D(0.5)=0.061um，D(0.9)=0.111um，使用此铅基反铁电纳米粉体制备出的块体陶瓷储能材料的击穿场强高达145kV/cm，储能密度达到2.52J/cm3，可广泛用于储能电容器、高功率脉冲电源、高速列车、电动汽车技术、动能武器等领域。

公开(公告)号：CN119977555A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510259147.0

申请日：2025-03-06

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  周世昱

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种具有超宽温储能温度稳定性和近零迟滞的高熵钙钛矿弛豫铁电陶瓷及其制备方法与应用。所述高熵钙钛矿弛豫铁电陶瓷的化学组成为(Ba0.8‑xNaxBi0.2)(Ti0.8‑xTaxMg0.04Zn0.04Al0.04Sn0.04Zr0.04)O3，其中，0≤x≤0.05。所述高熵钙钛矿弛豫铁电陶瓷在在500kV cm‑1电场下，‑85℃～220℃温度范围内，放电能量密度变化在±(3‑8％)之间，储能效率变化在±(8‑15)％之间。与现有技术相比，本发明的高熵陶瓷在具备高储能密度的基础上，同时具备接近百分之百的储能效率以及横跨低温和高温区的优异储能温度稳定性，使其能够在电动汽车、航空航天飞行器和空间探索等新型高科技领域和极端环境场景下具备较强的适应性及应用潜力。

公开(公告)号：CN106187181A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610578097.3

申请日：2016-07-21

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  王修才 ,  沈杰

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/768

Abstract: 本发明涉及一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法，所述的材料是以钙钛矿结构PZT体系为基体，将La和Sn分别部分代替Pb和Zr进入基体，化学成分符合化学通式(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3，其中，a的取值范围为0＜a≤0.06，x的取值范围为0＜x＜1.0，y的取值范围为0＜y＜1.0；制备方法主要步骤包括粉体和粘结剂制备、配料、混炼、粗轧、精轧和膜切，最后排胶、烧结，根据需要镀或者溅射不同电极或叠层。与现有技术相比，本发明制备的反铁电材料具有很高的击穿场强(≥200kV/cm)和储能密度(2J/cm3-4.2J/cm3)，制备工艺简单，操作简便，成本较低，适合工业生产。

公开(公告)号：CN119072220A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411092952.0

申请日：2024-08-09

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  陈航

IPC: H10N70/00 ,  C04B35/491 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  H10N70/20 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明涉及电子功能材料与器件技术领域，尤其是涉及一种锆酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备与应用。本发明提供的其化学通式为(Pb0.88Ba0.09La0.02)(Zr0.5‑xSn0.4Ti0.1+x)O3，其中x的取值范围为0.01≤x＜0.03。本发明通过组分调控，制备出具有超低相转变电场和室温下具有高介电常数的锆酸铅基反铁电陶瓷材料，在低电场下呈现出良好的储能与充放电性能，有利于大容值电容器的发展，有望应用于功率半导体器件等领域，拓展反铁电陶瓷电容器的应用范围。

公开(公告)号：CN102643092A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210137804.7

申请日：2012-05-04

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  李刚 ,  王瑾菲 ,  张清风 ,  姚熹

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种铅基反铁电纳米材料和铅基反铁电陶瓷储能材料的制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明通过使用硝酸铵-氨水缓冲溶液作为沉淀剂，制备出的铅基反铁电纳米粉体的粒径小、分布均匀，其粒径分布为D(0.5)=0.061μm，D(0.9)=0.111μm，使用此铅基反铁电纳米粉体制备出的块体陶瓷储能材料的击穿场强高达145kV/cm，储能密度达到2.52J/cm3，可广泛用于储能电容器、高功率脉冲电源、高速列车、电动汽车技术、动能武器等领域。

公开(公告)号：CN102163689A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110056485.2

申请日：2011-03-09

Applicant: 同济大学

Inventor： 王旭升 ,  武传贵 ,  洪暄清 ,  李祥明 ,  陈锐 ,  李艳霞 ,  姚曼文 ,  杨同青 ,  于剑 ,  姚熹

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  C04B41/83

Abstract: 本发明涉及一种1-3复合PZT压电纤维/聚合物复合阻尼材料及其制备方法，属于复合材料领域。本发明的复合阻尼材料，包括并排的若干根沿长度方向极化的PZT压电纤维和包覆于所述压电纤维外的聚合物层，PZT压电纤维的两端经其两端引出的电极与外接电阻连接；所述外接电阻的电阻值按照公式（I）确定。本发明采用沿压电纤维长度方向极化的方法获得压电特性，并经有机导电银浆引出电极的方式连接外接匹配电阻，本发明复合阻尼材料的阻尼特性在外接阻抗匹配的条件下，阻尼因子能提高0.1；在施加力增大的条件下，阻尼因子提高；在有机物基体与压电纤维的储能模量差别越大时，阻尼效果越明显；可作为减振降噪材料应用于列车、汽车等领域中。

公开(公告)号：CN119390442A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411421712.0

申请日：2024-10-12

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  李妍

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种用于高温下具有低相转变电场的铪酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法与应用。所述铪酸铅基陶瓷材料的化学组成为(Pb0.97La0.02)(HfxSn0.9‑xTi0.1)O3，其中0.85≤x≤0.9。该材料在室温下展示出具有铁电特征的电滞回线，剩余极化较大，而在高温下则展示出双电滞回线，表现出具有低相转变电场的反铁电特性，剩余极化几乎为零，适用于高温储能场景。具体而言，该反铁电陶瓷材料在120℃的高温与3.2～3.8kV/mm的低相转变电场下，能表现出3.0～3.4J/cm3的可释放能量密度，储能效率可达到71.2～75.6％，显示出其在高温环境中的储能潜力，为高温电介质储能材料的进一步研究和开发提供了有力支持。